ttl数字货币

① CCM1701是什么芯片

CCM1701是MCU芯片。

主要特性有：MCU和DSP架构设计，DSP运行频率高达96MHz。

CCM存在意义的第一个要点就是遵循国家的法律法规，所以CCM并不是一个数字货币，只能称为一个由区块链技术所开发的数字通证！想获得CCM你只能在CCM 旗下的各大应用场景里面免费挖矿获得。

型号：

芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母。

前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。

中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。

后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。

74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。

② 我想问一下集成电路目前的现状，希望有专业人士不吝赐教，大致介绍一下目前比较前沿的发展情况。

我这里有一份。要的话可以给你发一份。

2011 年 1月 2日
中国集成电路产业发展现状 中国集成电路产业发展现状 集成电路产业发展
关键词：中国集成电路现状
集成电路产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发 展迅速，技术日新月异。2003年前中国集成电路产业无论从质还是从量来说都不 算发达， 但伴随着全球产业东移的大潮， 中国的经济稳定增长， 巨大的内需市场， 以及充裕的人才，中国集成电路产业已然崛起成为新的世界集成电路制造中心。 二十一世纪， 我国必须加强发展自己的电子信息产业。 它是推动我国经济发展， 促进科技进步的支柱，是增强我国综合实力的重要手段。作为电子信息产业基 础的集成电路产业必须优先发展。只有拥有坚实的集成电路产业，才能有力地 支持我国经济、军事、科技及社会发展第三步发展战略目标的实现。
一、我国集成电路产业发展迅速 1998 年我国集成电路产量为 22.2 亿块，销售规模为 58.5 亿元。 到 2009 年，我国集成电路产量为 411 亿块，销售额为 1110 亿元，12 年间产量 和销售额分别扩大 18.5 倍与 20 倍之多，年均增速分别达到 38.1%与 40.2%，销 售额增速远远高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中国集成电路产业重大变化 2008年是中国集成电路产业发展过程中出现重大变化的一年。 全球金融危机不 仅使世界半导体市场衰退，同时也使中国出口产品数量明显减少，占中国出口总 额1/3左右的电子信息产品增速回落，其核心部件的集成电路产品的需求量相应 减少。 人民币升值也是影响产业发展的一个不可忽视的因素， 因为在目前国内集成电 路产品销售额中直接出口占到70%左右， 人民币升值对于以美元为结算货币的出 口贸易有着重要影响，人民币兑美元每升值1%，国内集成电路产业整体销售额 增幅将减少1.2到1.4个百分点，在即将到来的2011年里，人民币加速升值值得关 注。 三、中国集成电路产品产销概况 中国集成电路产品产销概况 中国集 2008年中国集成电路产业在产业发展周期性低谷呈现出增速逐季递减状态， 全年 销售总额仅有1246.82亿元，比2007年减少了0.4%，出现了未曾有过的负增长局 面；全年集成电路产量为417.14亿块，较2007年仅增长了1.3%。近几年我国集成 电路产品产量和销售额的情况如图1和图2所示：
图1 2003—2008年中国集成电路产品产量增长情况
图2 2003—2008年中国集成电路产品销售额增长情况 由上图可知，最近几年我国集成电路产品销售额虽逐年上升，但上升的速度却 缓慢，这是因为在国务院18号文件颁布后的五年中，中国集成电路产业的产品销 售额一直以年均增长率30%以上的速度上升， 是这个时期世界集成电路增长速度 的3倍，是一种阶段性的超高速发展的状态；一般情况下，我国集成电路产业年 均增长率能保持在世界增长率的1.5倍左右已属高速发展，因此，在2007年以后， 我国集成电路产业的年增长速度逐步减缓应属正常势态， 在世界集成电路产业周 期性低谷阶段，20%左右的年增长率仍然是难得的高速度。世界经济从美国次贷 危机开始逐步向全世界扩展，形成金融危机后又向经济实体部门扩散，从2008
年开始对中国集成电路产业产生影响，到第三季度国际金融危机明显爆发后，中 国集成电路产业销售额就出现了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形态。图3 是这个变化过程。
图3 2006Q1－2008Q4中国集成电路产品销售收入及同比(季期)增长率 中国集成电路产业的发展得益于产业环境的改善， 抵御金融危机的影响政策 十分显著。2008年1月，财政部和国家税务总局发布了《关于企业所得税若干优 惠政策的通知》(财税〔2008〕1号)，对集成电路企业所享受的所得税优惠十分 重视。日前通过的《电子信息产业调整和振兴规划》 ，又把“建立自主可控的集成 电路产业体系”作为未来国内信息产业发展的三大重点任务之一，在五大发展举 措中明确提出“加大投入，集中力量实施集成电路升级”。2005年由国务院发布的 《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006━2020年)》(国发[2005]44号),确定 并安排了16个国家重大专项，其中把“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件 产品”与“超大规模集成电路制造装备及成套工艺”列在多个重大专项的前两位； 2008年4月国务院常务会议已审议并原则通过了这两个重大专项的实施方案，为 专项涉及的相关领域提供了良好的发展契机。 中国各级政府对集成电路产业发展 的积极支持和相关政策的不断落实， 对我国集成电路产业的发展产生了积极的影 响。 四、中国集成电路产品需求市场 近些年来，随着中国电子信息产品制造业的迅速发展，在中国市场上对集成 电路产品的需求呈现出飞速发展的势态，并成为全球半导体行业的关注点，即使 中国集成电路产品的需 在国内外半导体产业陷入低迷并出现了负增长的2008年，
求市场仍保持着增长的势头， 这是由中国信息产品制造业的销售额保持着10%以 上的正增长率所决定的。 中国最近几年的集成电路产品市场需求额变化情况如图 4所示。
图4 2004-2008年中国集成电路市场需求额 五、我国集成电路产业结构 设计、制造和封装测试业三业并举，半导体设备和材料的研发水平和生产能 力不断增强，产业链基本形成。随着前几年 IC 设计业和芯片制造业的加速发展， 设计业和芯片制造业所占比重逐步上升，国内集成电路产业结构逐渐趋于合理。 2006年设计业的销售额为186.2亿元， 比2005年增长49.8%； 2007年销售额为225.7 亿元，比2006年增长21.2%。芯片制造业2006年销售额为323.5亿元，比2005年增 长了38.9%； 2007年销售额为397.9亿元， 比2006年增长又23.0%。 封装测试业2006 年销售额为496.6亿元，比2005年增长43.9%；2007年销售额为627.7亿元，比2006 年增长26.4%。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、 27.2亿元、161.1亿元，分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%，产业结构 不尽合理。 最近5年来， 在产业规模不断扩大的同时，IC 产业结构逐步趋于合理， 设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国 IC 设计业、芯片 制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元，分别占全年 总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。 半导体设备材料的研发和生产能力不断增强。 在设备方面， 65纳米开始导入生产， 中芯国际与 IBM 在45纳米技术上开展合作，FBP（平面凸点式封装）和 MCP（多
芯片封装）等先进封装技术开发成功并投入生产，自主开发的8英寸100纳米等离 子刻蚀机和大角度离子注入机、12英寸硅片已进入生产线使用。在材料方面，已 研发出8英寸和12英寸硅单晶，硅晶圆和光刻胶的国内生产能力和供应能力不断 增强。
但是2008年，国内集成电路设计、芯片制造与封装测试三业均不同程度的受 到市场低迷的影响，其中芯片制造业最明显，全年芯片制造业规模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企业均出现了产能闲置、业绩下滑的情 况；封装测试业普遍订单下降、开工率不足，全年增幅为-1.4%；集成电路设计 业也受到国内市场需求增长放缓的影响， 由于重点企业在技术升级与产品创新方 面所做的努力部份地抵御了市场需求不振所带来的影响， 全年增速仍保持在正增 长状态，为4.2%，高于国内集成电路产业的整体增幅。如图5所示。
图5 2008年中国集成电路产业基本结构
六、集成电路技术发展 集成电路技术发展 我国技术创新能力不断提高，与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初 的 3 英寸生产线，发展到目前的 12 英寸生产线，IC 制造工艺向深亚微米挺进， 封装测试水平从低端迈向中 研发了不少工艺模块， 先进加工工艺已达到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先进封装形式的开发和生产
方面取得了显著成绩。IC 设计水平大大提升，设计能力小于等于 0.5 微米企业比 例已超过 60%，其中设计能力在 0.18 微米以下企业占相当比例，部分企业设计 水平已经达到 100nm 的先进水平。设计能力在百万门规模以上的国内 IC 设计企 业比例已上升到 20%以上，最大设计规模已经超过 5000 万门级。相当一批 IC 已投入量产，不仅满足国内市场需求，有的还进入国际市场。 总之，集成电路产业是信息产业和现代制造业的核心战略产业，其已成为一些 国家信息产业的重中之重。 2011年我国集成电路产业的发展将勉励更好的发展环 境，国家政府的支持力度将进一步增加，新的扶植政策也会尽快出台，支持研发 的资金将会增多，国内市场空间更为广阔，我国集成电路产业仍将保持较快的发 展速度，占全球市场份额比重必会进一步增大！！ ！
附录： 附录： 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 1947 年，美国贝尔实验室发明了晶体管。 1956 年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施 之一。 1957 年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用 物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接 触二极管和三极管（即晶体管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1962 年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs） ，为研究制备其他化合物半导体打 下了基础。 1962 年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963 年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964 年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965 年 12 月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并 在国内首先鉴定了 DTL 型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966 年底， 在工厂范围内上海元件五厂鉴定了 TTL 电路产品。 这些小规模双极型数字集成电 路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路 等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968 年，组建国营东光电工厂（878 厂） 、上海无线电十九厂，至 1970 年建 成投产，形成中国 IC 产业中的“两霸”。 1968 年，上海无线电十四厂首家制成 PMOS（P 型金属－氧化物半导体）电 路（MOSIC） 。拉开了我国发展 MOS 电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研 究所（现电子第 24 所） 、上无十四厂和北京 878 厂相继研制成功 NMOS 电路。之
后，又研制成 CMOS 电路。 七十年代初，全国掀起了建设 IC 生产企业的热潮，共有四十多家集成电路 工厂建成。 1972 年，中国第一块 PMOS 型 LSI 电路在四川永川半导体研究所研制成功。 1973 年，我国 7 个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条 3 英寸工 艺线，最后只有北京 878 厂，航天部陕西骊山 771 所和贵州都匀 4433 厂。 1976 年 11 月，中国科学院计算所研制成功 1000 万次大型电子计算机，所 使用的电路为中国科学院 109 厂（现中科院微电子中心）研制的 ECL 型（发射极 耦合逻辑）电路。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742 厂）IC 生产线建成验收投产， 这是中国第一次从国外引进集成电路技术。 1982 年 10 月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立 了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”， 制定了中 国 IC 发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983 年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领 导小组提出“治散治乱”， 集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战 略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一 个点指西安，主要为航天配套。 1986 年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集 成电路技术“531”发展战略，即普及推广 5 微米技术，开发 3 微米技术，进行 1 微米技术科技攻关。 1989 年 2 月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出 了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件， 振兴集成电路产业”的发展战略。 1989 年 8 月 8 日， 厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶 742 电子集团公司。 1990 年 10 月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈 会，并向党中央进行了汇报，决定实施九 O 八工程。 1995 年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以 CAD 为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工 程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995 年 10 月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献 计献策，加速我国集成电路产业发展。11 月，电子部向国务院做了专题汇报， 确定实施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海华虹集团与日本 NEC 公司合资组建的上海华虹 NEC 电子有限公司组建，总投资为 12 亿美元，注册资金 7 亿美元，华虹 NEC 主要承 担“九 0 九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这 条从朗讯科技公司引进的 0.9 微米的生产线已经具备了月投 6000 片 6 英寸圆片 的生产能力。 1998 年 1 月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫 2000 系 统，这是我国自主开发的一套 EDA 系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要， 可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998 年 2 月 28 日，我国第一条 8 英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个
项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998 年 4 月，集成电路“九 0 八”工程九个产品设计开发中心项目验收授 牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四 研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东 专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工 业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998 年 3 月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发 的我国第一个-CMOS 微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取 得的一项可喜的成绩。 1999 年 2 月 23 日，上海华虹 NEC 电子有限公司建成试投片，工艺技术档次 从计划中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主导产品 64M 同步动态存储器（S－ DRAM） 这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集 。 成电路芯片生产线。 2000 年 7 月 11 日，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若 干政策》 随后科技部依次批准了上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 个国家级 IC 设计产业化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直径 8 英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项 目在北京有色金属研究总院建成投产；3 月 28 日，国务院第 36 次常务会议通过 了《集成电路布图设计保护条例》 。 2002 年 9 月 28 日，龙芯 1 号在中科院计算所诞生。同年 11 月，中国电子 科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶， 实现 了我国直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内 IC 设计 第一股。 2006 年中星微电子在美国纳斯达克上市。随即珠海炬力也成功上市。 2007 年展讯通信在美国纳斯达克上市。 2008 年《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、 苏州、宁波等国家集成电路产业园。

③ 中国货币的替代性方面的研究论文

真的很难找啊。。。

怪不得没人回复。。

这些东东可能对你用用。。。

祝你好运！

电子货币发展对货币流通速度的影响――基于协整的实证研究
周光友
(西安交通大学 经济与金融学院 陕西 西安 710061)
摘要:通过统计分析,本文认为电子货币影响货币流通速度的因素主要有:现金比率,货
币供给的"流动性",金融电子化程度以及货币电子化程度,它们对货币流通速度的影响是
不同的.进一步分析发现,中国电子货币对传统货币有着两个明显的替代效应:一是替代
加速效应,二是替代转化效应.两个替代效应的存在使电子货币并没有加快货币流通速度,
反而导致了货币流通速度的下降,这与大多数学者的研究结论相反.本文的结论也许可以
用来解释近年来我国货币流通速度下降的原因.同时,电子货币通过对货币流通速度的影
响必然会到货币政策的有效性,因此,中央银行在制定货币政策时必须加以考虑.
关键词:电子货币;货币流通速度;货币政策效应;协整
中图分类号: 文献标识码:A 文章编号:
作者简介:
第一作者:周光友(1971,5-),男,经济学博士,研究方向:货币金融理论.
曾在核心期刊上发表学术论文近20篇.
联系方式:
地址:郑州大学升达学院国贸系 周光友(收)
邮编:451191
电话:0371-62436179 手机:(0)13783501878
Email: [email protected](优先)
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电子货币发展对货币流通速度的影响――基于协整的实证研究
周光友
(西安交通大学 经济与金融学院 陕西 西安 710061)
摘要:通过统计分析,本文认为电子货币影响货币流通速度的因素主要有:现金比率,货币供给的"流动
性",金融电子化程度以及货币电子化程度,它们对货币流通速度的影响是不同的.进一步分析发现,中
国电子货币对传统货币有着两个明显的替代效应:一是替代加速效应,二是替代转化效应.两个替代效应
的存在使电子货币并没有加快货币流通速度,反而导致了货币流通速度的下降,这与大多数学者的研究结
论相反.本文的结论也许可以用来解释近年来我国货币流通速度下降的原因.同时,电子货币通过对货币
流通速度的影响必然会到货币政策的有效性,因此,中央银行在制定货币政策时必须加以考虑.
关键词:电子货币;货币流通速度;货币政策效应;协整
电子货币的产生和发展不仅改变了人们的生活习惯,支付方式,而且已经给传统的货
币和金融理论带来了极大的挑战.近年来,随着我国电子货币的快速发展,它对通货和存
款的取代作用越来越明显.与此同时,我国的货币流通速度呈现出不断下降的趋势,这种
变化对货币政策的制定和实施都会产生较大影响.从理论上说,由于电子货币具有高流动
性的特点,它对传统货币的取代必然会改变货币流通速度,从许多电子货币发展较快国家
的实际数据来看,自电子货币出现以来,货币流通速度也变得极其不稳定,因此可以断定
电子货币必然会对货币流通速度产生影响,至于这种影响程度有多大则是我们要研究的问
题.因而对此问题的研究不但可以从另一的角度解释货币流通速度变化的原因,而且对提
高中央银行货币政策的有效性有着重要的意义.
本文以下的结构安排是:第一部分为文献综述,在回顾国内外相关文献的基础上,对
相关的理论观点进行了简要的评介,并提出了本文的理论假设.第二部分,第三部分为电
子货币与货币流通速度相关性的实证分析过程.第四部分是模型结果的分析.最后是全文
的结论及政策建议.
一,文献综述
根据巴塞尔委员会的定义:电子货币是指在零售支付机制中,通过销售终端,不同的
电子设备之间以及在公开网络(如Internet)上执行支付的"储值"和预付支付机制.[1]货
币流通速度则是指一定时期内(通常为一年)货币流通的次数.国内外许多学者对影响货
币流通速度变化的因素进行了研究.
欧洲中央银行(1988)在《电子货币报告》中,认为电子货币会加快货币流通速度;[2]
国际清算银行(BIS)对电子货币研究的一些报告在对各国电子货币的发展和应用情况进行
介绍以及其风险和监管研究的同时,都不同程度地涉及了电子货币对货币流通速度影响的
内容,并认为电子货币会加速货币流通速度.Survey of Electronic Money(1996),
[3]Implications for Central Banks of the Development of Electronic Money(BIS,1996
年10月),Risk Management for Electronic Banking and Electronic Money
Activities(BCBS,1998年3月),BIS于2000年5月和2001年11月分别出版了题为Survey of
Electronic Money Developments的两份报告,之后又于2004年4月出版了Survey of
Developments in Electronic Money and Internet and Mobile Payments.此外,国外
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学者在对电子货币研究的相关文献中也认为电子货币会对货币流通速度产生影响.
Berentsen, Aleksander, Kyklos (1998),在论述了电子货币产品的特征,并提出电子货
币的使用将对货币需求,供给及货币流通速度产生影响;[4] Aleksander Berentsen(2002)
讨论了电子货币对货币需求及其过程,货币流通速度,准备金需求,中央银行货币控制权
及货币政策传导机制的影响;[5] James A. Dorn(1996)认为,由于电子货币的存在及其对
货币流通速度的影响,降低了中央银行控制基础货币的能力;[6] Susan M. Sullivan (2002)
认为,随着电子货币的广泛使用,将限制中央银行货币供给的控制能力,使货币流通速度
加快,铸币税收入减少,货币乘数发生变化等.[7]
从国内来看,王鲁滨(1999),在分析电子货币对货币需求的影响时认为,电子货币替
代了通货使通货减少,从而加快了货币流通速度.[8]尹龙(2000)在分析电子货币对货币政
策中介目标可控性方面的影响时认为,根据传统的货币理论,货币的流通速度基本稳定或
有规律的变化,即是可预测的.在此基础上,才能确定一个与最终目标相一致的中介目标的
控制规模和程度.电子货币将使这一理论前提不再成立,它对货币流通速度的影响是随机游
走的,导致短期货币流通速度难以预测或预测的准确性受到严重影响.[9]董昕,周海(2001)
在分析电子货币对货币需求时认为,电子货币的替代作用使流通中的现金减少,加快了货币
的流通速度,也使利用现金进行交易的次数减少,如果支付数字化现金脱离银行账目,货币
政策的关键因素-对中央银行的货币需求量将减少.[10]陈雨露,边卫红(2002)将电子货
币引入费雪方程式,分析了电子货币对货币流通速度影响,认为当电子货币逐步取代通货,
尤其是在线电子货币的普及和发展.比特形态的电子货币以光和电作为物质载体,以接近
于光速的极限在因特网上高速流通,具有很强的随机性,这导致短期货币流通速度难以预
测或预测的准确性受到影响,费雪交易方程式有待进一步考验.[11]杨路明,陈鸿燕(2002)在
分析电子货币对货币政策中介目标可测性和可控性影响时认为,电子货币的发展,正在使中
介目标的合理性和科学性日益下降.在可测性方面,货币数量的计算与测量,正受到电子货
币的分散发行,各种层次货币之间迅捷转换,金融资产之间的替代性加大,货币流通速度
加快等各方面的影响.在可控制方面,来自货币供给方面的变化,加上货币流通速度的不稳
定和货币乘数的影响,使货币量的可控性面临着挑战.[12]蒲成毅(2002)结合中国货币供应
的实际,探讨了数字现金对货币供应和货币流通速度的影响.认为货币流通速度在初期(以
V0为主)将随M0 趋向减少而呈下降的态势,而在后期E ,VE都将趋向增大,M1 的总量
却将因其流动速度的极快以及向M0转化的总趋势,将导致其形态留存时间极短而总量趋向
降低,则货币流通速度(以VE为主)将转而呈上升趋势,即货币流通速度变化特征呈V字
型.[13]张红,陈洁(2003)认为电子货币加快了货币流通速度,使在市场经济条件下的利
率成为影响货币流通速度的非惟一因素.[14]唐平(2005)认为,电子货币的广泛使用,使不
同货币需求动机间的边界变得不再明显,且货币的平均流通速度不断加快.[15]
此外,国内外的一些学者在分析货币流通速度的影响因素时,虽然没有把电子货币作
为一个影响因素进行分析,但在这些分析却中蕴含了电子货币对货币流通速度的影响.艾
洪德,范南(2002)在对中国货币流通速度影响因素进行统计分析时,得出金融发达程度
是影响中国货币流通速度的因素主之一.[16]梁大鹏,齐中英(2004)采用金融相关率和金
融创新度指标对我国1978-1998年间三个层次货币的流通速度进行回归来研究我国金融创
新与货币流通速度之间的关系,结果显示出我国的金融创新与MO和Ml的流通速度正相关,
但是与M2的流通速度负相关.[17]
由此可见,国内外学者在对货币流通速度的影响因素进行分析时,都不同程度地涉及
到了电子货币对货币流通速度的影响.但从总体上看,大多数学者对电子货币对货币流通
速度的影响仅仅停留在理论分析层面上,并认为电子货币会加速货币流通速度,从而加大
4
了中央银行控制基础货币的难度.在对影响货币流通速度的因素进行实证研究时,也很少
考虑到了电子货币对货币流通速度影响,更没有把电子货币看作影响货币流通速度的因素
纳入模型中,因此对电子货币与货币流通速度相关性的实证研究相对缺乏.
然而,从国内外学者研究的结论中可明显看出的是,电子货币对货币流通速度的影响
是客观存在的,并且这种影响应该随着电子货币的快速发展而表现得越来越明显,至于这
种影响程度有多大则主要取决于电子货币对传统货币替代的深度和广度及其对货币流通速
度的作用机制.国内外绝大多数学者一致认为,电子货币的存在和发展必然会加快货币流
通速度.然而,从我国电子货币发展的情况来看,特别是从1990年代以来,我国电子货币
发展的同时,我国的货币流通速度却呈现出长期持续下降的趋势,特别是广义货币的流通
速度下降更为明显.因此,电子货币必然会加速货币流通速度的观点并不能解释我国电子
货币与货币流通速度二者之间的这种此消彼长的相互关系.虽然,影响货币流通速度的因
素很多,而这些影响因素的作用在不同国家和不同的时期也不尽相同,电子货币也只是其
中一个,并且电子货币还不是影响货币流通速度的决定性因素,特别是在电子货币发展还
处于发展的初期阶段的中国来说更是如此.但是,一方面电子货币对货币流通速度的影响
有着越来越明显的趋势,而另一方面我国的货币流通速度却呈现出长期持续下降的趋势,
电子货币与货币流通速度之间究竟是一种什么样的关系,电子货币的发展是加快还是降低
了货币流通速度,这是本文研究的出发点.
为了更好,更直接地揭示电子货币对货币流通速度影响的程度和作用机制,提高货币
政策的有效性,本文在现有研究成果的基础上,运用协整理论方法和误差修正模型建立起
我国1978-2000年间电子货币与货币流通速度之间的稳定关系,并对影响货币流通速度的
因素进行分析,进而提出相应的政策建议.
二,模型变量选择和样本数据说明
(一)模型选择
本文在进行电子货币对中国货币流通速度影响的分析中采用的是协整的理论方法,它
包括单位根检验和协整检验两个基本内容.在本文的分析过程中,比较重要的是误差修正
模型的使用.目前建立误差修正模型的方法通常有Engle-Granger两步法和
Wickens-Breusch一步法.本文选择Engle-Granger两步法来计算货币流通速度与其变量对
短期冲击的效应.因为Engle-Granger两步法建立的误差修正模型含有短期动态行为,即
含有差分项,所以可以用它考虑短期的冲击作用.而通过Wickens-Breusch一步法,我们
可以得到一种相对于一阶单整时间序列而言的长期静态方程,所以用它来说明长期货币流
通速度与其变量在各层面的影响关系.就这三种公式的关系而言,协整关系说明该数列组
之间的变化关系,长期静态方程说明它们之间的长期关系,而Engle-Granger两步法方程
仅说明变量差分项之间的关系,因此前两者关系的反映更为重要.
(二)数据指标选取
有关中国货币流通速度数据指标和电子货币对货币流通速度影响因素的具体选取值,
本文在附表1中已经列出.从国内外数据采集的情况来看,由于月度数据和季度数据难以
获得,本文在计量模型中采用的是年度指标.为了保证模型的准确性和科学性,变量个数
选取就不能太多,同时不能出现指标间的复共线性.本文在选取数据指标时,分别选取具
有代表性的三个不同货币层次指标,目的在于更好地分析电子货币条件下,电子货币对不
同货币层次的替代作用及其对货币流通速度的影响.
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1,现金比率(M0/M2).1它表明现金占广义货币的比率,选择该指标的目的在于,随着
电子货币的普及与应用,作为划分货币层次依据的流动性将逐渐消失,由于电子货币具有
极强的流动性,它使M0,M1,M2之间差异趋向模糊,各货币层次之间的转换就不仅仅只
在M0,M1,M2三者之间进行,亦即转换的内容和范围都扩大了,特别是向流动性小的金
融资产(有价证券及其它金融投资品)转化,即沿M0,M1,M2,M3,…,Mn的脚码序
号升高的方向转化.在电子货币时代,这种反向转化所需费用很少,所需时间几乎为零,
因此,随着电子货币的普遍使用,货币层次形态M0,M1,M2,M3,…,Mn将存在逐渐
沿脚码序号升高方向转化的趋势.这种变化趋势必然使流通中现金的数量减少,现金与广
义货币的比率下降,从而降低货币流通速度.
2,货币供给的"流动性"(M1/M2)2.它表明狭义货币供给相对于广义货币供给的比重.
当M1/M2的值趋于增大,意味着代表现实流通的也即现实将用于购买和支付的货币在广义
货币供给量中的比重相对上升,货币供给的流动性增强,货币流通速度加快;反之,当M1/M2
的值趋于减小,则表明广义货币供给量中的准货币比重上升,货币供给的流动性减弱,货
币流通速度下降.一般来说,在电子货币展的初期阶段,电子货币对现金和活期存款的替
代作用较为明显.因此如果我国的"流动性"指标的比率下降,则说明电子货币对我国现
金和活期存款的替代作用较为明显,反之则反之.事实上,从我国的实际数据来看,该比
率从1978年的81.9%下降到2000年27.6%.
3,金融电子化程度.本文用(M2-M0)/M2来代替,其观点在于一国金融系统中非流通现
金比重越大,该国金融电子化程度越高.在电子货币条件下,由于电子货币对传统货币的
取代程度随着流动性的下降而减弱,因此电子货币对M0的替代作用也必然大于对M2的替
代.这样,M0的下降就会使(M2-M0)/M2的比率上升,金融电子化程度也就提高.从我国的
实际数据来看,改革开放以来,特别是90年代中后以来,我国的金融电子化程度逐步提高,
而这一时期也正是我国电子货币快速发展的时期.
4,货币电子化程度(FA/M1).根据金融资产流动性的不同,可以把金融资产分成交易
性金融资产和投资性金融资产两部分.交易性金融资产是那些可以用于直接支付的金融资
产,它具有很强的流动性,根据货币层次的划分,可以近似看成狭义货币Ml.而投资性金
融资产的流动性较差,但它具有到期获得收益的特性的金融资产,主要包括准货币,有价
证券及金融衍生工具.在电子货币条件下,由于电子货币不仅代替了流通中的现金和存款,
而且使流动性较高的金融资产向流动性较低的金融资产转化的趋势.从而电子货币会引起
交易性金融资产比重的降低和投资性金融资产比重的提高.为此我们可以用一国金融资产
总量与交易性金融资产数量的比率来反映货币电子化程度,这一指标可用公式表示如下:
tttttMFAFATFAEML1//==
其中:EM为货币电子化程度,FAT为交易性金融资产数量,FA为金融资产总额.
指标越大说明投资性金融资产数量的比例越大,则货币电子化程度越高,越小则说明
货币电子化程度越低.从我国的实际数据来看,货币电子化指标在1994年后开始快速
增长,这与我国从1995年开始使用电子货币,之后电子货币得到迅速发展有着密切关
系,同时也说明,在此期间我国货币电子化水平是不断提高的.
三,模型计算及其结果
1 这里的"现金比率"指的是流通中的现金与广义货币的比率,与通常所说的现金比率(现金与流动性负
债的比率)的涵义并不相同.
2 这里所说的"流动性",与经常用来作为货币代用语的"流动性"概念的内涵并不相同.
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(一)单位根检验
在进行协整分析之前,须对变量的平稳性及其滞后期数进行检验.将拟用变量取对数
后,利用EVIEWS3.0经济应用软件,采用ADF方法检验单位根,检验结果如下:
LV0～I(C,1,2)**,LV1～I(C,1,1)**,LV2～I(C,1,1)**,LCR～I(C,1,1)***,
LL～I(C,1,1)**,LFE～I(C,1,1)*,LEM～I(C,1,1)**
其中,圆括号中中间数字为单整阶数,后一个数字为最佳滞后期数.*表示10%的水平
下显著,**表示5%的水平下显著,***表示1%的水平下显著.
(二)协整检验
首先,我们以2LV为例进行协整关系检验.
1,利用普通最小二乘法(OLS)关于货币tM2的流通速度tV2的对数tLV2对现金比率对
数LCR,货币供给的流动性对数LL,金融电子化对数LFE与货币电子化对数LEM进行回归,
并计算残差估计值以∧
t .
tttttLEMLFELLLCRLV1275.08815.10386.56330.18291.02+ + =
(-4.7199) (-1.2526) (8.4015) (-2.0087) (1.1435)
2R=0.9470 DW=0.9480
tttttLEMLFELLLCR1275.08815.10386.56330.18291.0 + +=∧
2,对残差估计值以∧
t 水平值进行单根检验,检验结论如下表:
表1 单位根检验情况
Lag ADF统计值 临界值
1 -2.6161
-2.6889 ***
-1.9592 **
-1.6246 *
2 -2.4182
-2.6968 ***
-1.9602 **
-1.6251 *
3 -2.262
-2.7057 ***
-1.9614 **
-1.6257 *
4 -2.1896
-2.7275 ***
-1.9642 **
-1.6269 *
0 -2.9625 -2.6819 ***
7
-1.9583 **
-1.6242 *
其中,***表示在1%水平下显著,**表示在5%水平下显著,*表示在10%水平下显著.
由上表可知,残差估计值∧
t 序列是I(0)的,也就是说残差估计值∧
t 序列是平稳的.
从而,货币流通速度对数tLV2和现金比率对数LCR,货币供给的流动性对数LL,金融电子
化对数LFE与货币电子化对数LEM之间是协整的.
同理,可得到货币流通速度V1,V0的协整回归方程:
tttttLEMLFELLLCRLV2039.01952.16626.31618.04955.11+ + =
(4.5166) (-0.0679) (3.3378) (0.6973) (1.5979)
2R=0.5382 DW=0.4286
tttttLEMLFELLLCRLV4712.04378.17940.263759.414532.20+ + =
(2.4423) (-5.4426) (7.6610) (-0.2632) (0.7250)
2R=0.9119 DW=0.8816
(三)建立误差修正模型
1,如前所述,如果一组变量之间有协整关系,那么协整回归总是能被转换为误差修正
模型.利用Engle-Granger两步法建立误差修正模型.tM2的流通速度tV2的对数tLV2对
现金比率对数LCR,货币供给的流动性对数LL,金融电子化对数LFE与货币电子化对数LEM
变成的平稳序列以及残差估计值1 t ,逐个删除上述方程中t统计值不显著的项,最终可
得误差修正模型初步回归方程:
∧
+ = 124037.01780.13968.40595.0ttttLFELLLV
(0.8506) (0.3212) (0.9313) (-3.2584)
2R=0.6530 DW=2.1378
同理我们可得货币流通速度V1,V0的Engle-Granger两步法建立误差修正模型.
∧
+ + = 114037.02821.02452.41110.0ttttLFELLLV
(2.1098) (0.6754) (2.2637) (-2.2478)
2R=0.5283 DW=2.1882
∧
+ += 105498.04723.313085.266037.31ttttLFELLLV
(5.7981) (1.8301) (6.3852) (-2.4350)
8
2R=0.2238 DW=0.6250
2,利用Wickens-Breusch一步法,最终得到如下回归方程:
tttttLEMLFELLLCRLV2471.08407.21358.03417.26324.12 ++ =
同理我们可得货币流通速度V1,V0的Wickens-Breusch一步法误差修正模型.
tttttLEMLFELLLCRLV1908.02415.11524.02103.07861.11 +++=
tttttLEMLFELLLCRLV3174.07562.29173.08324.07452.20 +++=
综上所述,我们得到货币流通速度在V2,V1和V0三个层面上与现金比率,货币供给
的流动性,金融电子化程度和货币电子化程度的影响关系如表2.
表2 我国电子货币对货币流通速度影响变化率系数分析
现金比率CR 货币供给的流动性L
协整
Engle-Granger
两步法误差修
正
Wickens-Breusch
一步法误差修正
协整
Engle-Granger
两步法误差修
正
Wickens-Breusch
一步法误差修正
V2 -1.6330 2.3417 5.0386 4.3968 0.1358
V1 -0.1618 0.2103 3.6626 4.2452 0.1524
V0 -41.3759 0.8324 26.7940 26.3085 0.9173
金融电子化程度FE 货币电子化程度EM
协整
Engle-Granger
两步法误差修
正
Wickens-Breusch
一步法误差修正
协整
Engle-Granger
两步法误差修
正
Wickens-Breusch
一步法误差修正
V2 -1.8815 -1.1780 -2.8407 0.1275 -0.2471
V1 -1.1952 0.2821 1.2415 0.2039 -0.1908
V0 -1.4378 31.4723 2.7562 0.4712 -0.3174
注:该表系数均为变化率影响系数
四,对实证结果的分析
(一)对现金比率(M0/M2)因素的分析
1,模型结论.从表2中可看出,通过模型计算,其结论表明,总体而言中国货币流通
速度的变化率在V0,V1,V2层面与现金比率成同方向变动的关系.这说明,改革开放以来,
我国电子货币的发展较为迅速,它对通货(M0)存在着明显的替代效应.
2,原因分析.中国的货币流通速度之所以在V0,V1,V2层面之所以与现金比率成同
方向变动关系可能的原因是:一是电子货币对M0的代替作用较为明显,它一方面使M0的
数量明显减少,另一方面,它也加速了M0向M1和M2的转化,在两方面的共同作用下,必
然会导致M0的减少和M1,M2的增加,使现金比率下降,从而降低了货币流通速度;二是
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虽然现有的理论分析认为,电子货币对现金的代替必然会加快货币流通速度,这与我国的
实际情况截然不同.主要是因为,从我国目前电子货币发展的实际情况看,我国尚处于电
子货币发展的初期阶段,电子货币的发展与发达国家和新兴国家相比还相对滞后,电子货
币对M0的替代加速效应不明显,相反电子货币的替代转化效应则非常明显,两种替代效应
的存在不但没有加快货币流通速度,反而降低货币流通速度.因此,电子货币对现金的替
代并没有从整体上加快我国的货币流通速度.当然,需要说明的是,电子货币对传统货币
的替代没有加速货币流通速度,只是在我国当前电子货币发展的阶段,电子货币的这种替
代加速作用明显小于它的替代转化作用,从而从整体上降低了货币流通速度,因此,这种
现象的存在反映了我国电子货币发展的阶段性特征,同时也蕴涵了电子货币加速货币流通
速度的诱因.
(二)对货币供给流动性(M1/M2)因素的分析
1,模型结论.从表3中可看出,通过模型计算表明,总体而言中国货币流通速度的变
化率在V0,V1,V2层面与货币供给流动性成正向变动的关系.从我国的实际数据可看出,
自改革开放以来,该比率从1978年的81.9%下降到2000年27.6%.与此同时,我国在此期
间V0,V1,V2的流通速度也表现出明显下降的趋势.因此,该模型结论与实际是完全符合
的.
2,原因分析.长期以来,大多数学者都认为,电子货币是一种本身具有高流动性的货
币,它对传统货币的取代必然会加快货币流通速度,本文认为这是一种认识上的误区.实
际上,电子货币自身具有的高流动性,并不意味着它对货币的替代就会加快货币流通速度.
电子货币对M1的代替,虽然能加速电子货币作为支付手段进的流通速度,但这并不是决定
货币流通速度高低的唯一因素.我们知道,货币流通速度是指货币在一定时期内的周转次
数,影响货币流通速度的因素除了货币的支付过程中的流通速度外,还会受到公众持币动
机的影响.根据凯恩斯的货币需求理论,他将公众的持币动机分为交易动机,预防动机和
投机动机三种,而前两种持币动机形成的货币需求是交易性的货币需求,而投机动机的货
币需求是投机性的货币需求.电子货币的存在均会对这三种持币动机产生影响,从而影响
货币流通速度,因此,它是影响货币流通速度的另一个因素,甚至是更为重要的因素.因
此,我们在分析电子货币对公众持币动机的影响时,应从人们的持币时间和持币结构两个
方面进行分析.从持币时间来看,由于电子货币具有高流动性的特点,它的存在会使传统
的货币层次模糊,从而使不同层次的货币之间的相互转化更为容易.因此,人们之所以持
有电子货币主要是因为它能满足流动性偏好,电子货币对传统货币的替代也只是改变了货
币的形态,并不意味着已经加快了货币流通速度.此外,由于人们持有电子货币还可以给
持有者带来各种便利,如支付便利,储藏便利和投机便利等,并且这种持币成本明显低于
持有传统的货币,因此,人们会选择更多的持有电子货币.这样,从总体上看就会增加人
们的持币时间,使货币处于相对"静止"状态的时间增加,从而降低了货币流通速度;从
持币结构来看,由于电子货币的高流动性及各货币层次之间相互转化极为容易的特点,人
们要追求持有货币的高流动性也就没有必要一定要持有自身流动性很高的货币,持有自身
流动性较弱但容易转化为流动性较高的货币也同样能满足高流动性的要求,而电子货币恰
恰能满足人们的这种持币需求.另外,由于流动性较弱的金融资产往往能给持有者带来较
高的收益,当持有高收益金融资产也不会影响持有货币的流动性时,人们没有理由不做出
两全其美的选择.而这种持币动机必然会使人们减少对高流动性的货币M1的持有量,同时
也会将高流动性的货币转化为收益率较高的货币,从而导致货币总量中高流动性的货币减
少而流动性较低的货币量增加,亦即M1向M2转化.因此,电子货币对传统货币的取代从
持币时间和持币结构两方面改变了人们的持币动机,从而降低了货币流通速度.
10
从我国的实际情况来看,随着电子货币的快速发展,它对现金和活期存款(M1)的替
代作用越来越明显,由于我国电子货币的发展相对滞后,可以说尚处于初期阶段,在这一
阶段,电子货币对M1的替代作用要明显强于M2,因此,电子货币对M1替代必然会直接减
少M1的总

④ 我是菜鸟暗黑里老手长用的像ACT1之类的字母什么意思啊！

一共5关,ACT就是英文关卡的意思...
暗黑很多都是用简写的...哈哈,我以前刚玩也看的发木.
还是先看看那些对照表,是啥意思吧

数字
1（bus用语，安全）
2（bus用语，危险）
3bar/3BB（指act5 q5的三个野蛮人守护神）
3q（Thank you)
40/15（指40ed/15ias jewel或者40ed/15max damage jewel）
5小队（杀baal途中，baal的5次召唤怪物）
7＋（漆甲，通常指塔拉夏的守护）
(X)S（X个孔，例如: 4s armor就是4孔盔甲）

A
acc（account/account Name 帐号）
alvl（affix level词缀等级）
ama/amz/zon（Amazon 亚玛逊女战士）
amu（amulet 项链）
ar（attact rating 攻击准确率）
asn（Assassin 刺客）
as（attack speed 攻击速度）
atk（attack 攻击，有时也指攻击力）
act(1-5)（如：act2 第2幕游戏场景）
ap+（执政官铠甲，通常白色的3孔 4孔的用来做rune word）
B
ban acc（官网GM封闭某些玩家的帐号，理由是他们在游戏中使用了一些官网禁止的外挂）
bar/barb（Barbarian 野蛮人）
bo（battle orders野蛮人的战斗体制技能）
bbs（论坛）
Blizzard（暴雪娱乐公司）
Blz（女巫的暴风雪技能的简称）
block（chance of blocking 格挡机率）
BN（Battle.Net）
bot（robot的简写，通指各种自动机器人的游戏外挂）
Bow（弓类）
bowama（使用弓[bow]或十字弓[crossbow]类武器为主要攻击手段的亚马逊）
boots（靴类）
belt（腰带）
bug（程序设计上的错误，漏洞等）
bus（游戏中带新人快速过关的人）
C
cb（colossus blade/crushing blow 决定性打击/charged bolt）
charm（护身符，放在物品栏中起作用）
char（character 角色）
coh（chain of honor 神符之语-荣耀之链）
cm（cold matery,女巫的冰系掌握技能）
cr(cold resistance 抗寒)
cow（牛，KC=kill cow 杀牛的意思）
Crossbow（十字弓）
cs（critical strike 双倍打击/colossus sword/critical shot/cobra strike）
CtA （110新神符之语，Call to Arms，战争召唤）
cube（the Horadric Cube 赫拉迪克方块，常用作动词指用cube转化或者合成物品的行为）
D
d2（diablo2 暗黑破坏神2）
dam/dmg（damage 伤害力）
DC（diablo-clone 超级DIABLO/dragon claw，此boss掉暗金色小护身符）
def（defence 防御力/防御率）
dex（dexterity 敏捷值）
down（通常指服务器当机）
dru（Druid 德鲁伊）
r（rability，耐久度）
dr（damage rece 减轻物理伤害， 俗称物免）
ds（deadly strike 致命一击/地上）
al/al leech（双吸，既能吸mana又能吸life的装备）
E
ed（enhanced damage 增强伤害/enhanced defense 增强防御力）
en/ene/eng（energy 精力值）
eth（通常指不能修复的装备）
exp（experience 经验值）
F
faster run/walk（加快奔跑/行走速度）
fcr（faster cast rate 加快施法速度）
fdr（faster block rate 加快盾牌格挡后的恢复速度）
fd（fire damage 火伤害）
fr(fire resistance抗火)
fhr（faster hit recovery 加快受攻击之后的恢复速度）
fe（fire enhanched 火焰强化）
frw（faster run/walk）
G
gc（grand charm 超大型护身符）
gm（game master）
H
HC（hardcore 专家模式，死了就不能复活）
hell（指地狱难度）
HP（hit points 血，生命值）
I
ias（increased attack speed 加快攻击速度）
IK（Immortal King 不朽之王，野蛮人精华套装的简称）
ire（通常指Skullder's Ire Russet Armor，skill+1的mf盔甲）
ist（24号神符， 著名的mf神符，1.10战网标准流通货币）
itd（ignore target's defence 无视目标防御力）
ith（某种利用hack工具制造的Bug物品，多为武器，具有极为变态的伤害值及属性）
J
jew/jw（jewel 珠宝）
jp（极品:该物品的属性都达到理论上的最值）
js（jian shang 奸商）
K
k（kill 杀，km/kb/kd/kp 指mf各boss）
K3C（K瘸子,杀崔凡克的3个金怪议员）
KP（进ACT5安亚旁边的红门杀里面的金怪--暴皮）
K3BB（杀3个远古人,进世界之石杀巴而前一定要完成的任务 资料片等级限制是20/40/60,不够级不能完成）
kb（knock back 击退，最近流行翻译为杀巴尔前5小队怪升级）
key（40级没PASS PT的人物 杀了3BB,没杀巴尔）
L
lc（large charm 大型护身符）
ld（lighting damage 电伤害）
lr（lightning resistance 电系抵抗）
LL（leech life 通常指有吸血属性的装备 ）
lm（leech mana 通常指有吸魔属性的装备）
leg（D2中指维特之腿，开cow level的必须品）
le（lightning enhanched 闪电强化）
lv/lev/lvl（level 等级）
M
mdr（magic damage rece 减轻魔法伤害）
md（magic damage 魔法伤害）
mana（法力值）
max（最大；加满）
wmj/wmd/wmk（物免甲/物免盾/物免盔）
mfsc（带mf值的小型护符，一般指7% mf的）
mf（magic find 获得魔法物品机会）
min（最小）
mod（属性）
mp（mana points 魔力值）
mr（magic resistance 魔法抵抗）
mp+（法师铠甲 白色15ed无孔3孔有用）
N
n（name 通常指游戏房间名）
nec/necro（Necromancer 男巫）
newbie（新手，新手）
nor（normal 普通难度）
npc（non player character 非玩家角色/也可以指把装备卖给npc的动作）
nova（女巫的闪电环技能，又称新星）
O
oak （oak sage 德鲁伊的橡木智者精灵）
omg（oh my god 天啊）
orb（球类，通常指 sor专属武器眼球或翻译成sor的冰封球技能）
P
pal/pala/pally（Paladin 圣武士，圣骑士）
pd（poison damage 毒素伤害）
pdsc（增加毒伤害的小型护符，lr pker的最爱，如无特别说明，一般指100毒伤害的小护符）
pg（perfect gems 完美宝石，最高级宝石，包括完美骷髅）
ping（描述网速的一个值，PING越高责网速越慢）
pi（physical immune 物理免疫）
pk（玩家之间的战斗）
plz（please 请）
pr（poison resistance毒抗）
pvc（player vs computer 玩家打电脑，过关等）
pvp（player vs player 玩家之间有规则的公平战斗）
pw（password 密码）
Q
qh（sor的强化技能，通常给低级char使用，提高伤害，加快练级速度）
R
rt（如题）
ring（戒指）
rob（抢，一般指朋友或者熟人之间互相要好装备--不要对不熟悉或者非朋友要东西）
req（required/requirement 装备的要求，str，dex，lv等）
res/resist（resistance 抗性，四防，通常有人说4R）
rp（ren pin 人品，运气的意思）
rr（act4第2个任务敲石头）
rune（神符的总称）
rw（rune word 神符之语）
S
skill（技能）
sc（small charm 小护身符）
sd/std（standard 普通模式，相对于hardcord，ladder模式而言）
shako（通常指Harlequin Crest Shako，暗金军帽）
slvl（skill level 技能等级）
soj（the Stone of Jordan Ring 乔丹之石）
sor/sorc（Sorceress 女巫）
stamina（耐力值）
sf（女巫的静电场技能）
str（strength 力量值）
sa+（神圣盔甲）
T
tlx（塔拉夏，sor的绿色套装）
tc（trade channel 交易频道/怪物的财宝阶层）
tp（teleport 女巫的传送技能）
tp+（神符之语 谜团，有+1传送技能）
th（土豪， 指拥有大量财产的人）
tt（Titan's Revenge-Ceremonial Javelin 泰坦的复仇-祭奠标枪）
U
UGC（吉黑得的运气-超大型护身符）
uni（unique 暗金物品）
unid（unidentify 未鉴定）
USC（Annihilus-Small Charm毁灭-小护身符）
V
vit（vitality 活力值）
vf（very fast 非常快的攻击速度）
W
wf（Windfroce Hydra Bow风之力-九头蛇弓，1.09神器）
wp（waypoint 传送点）
wt（战争之旅，通常用来MF穿的鞋子）
Y
y（yes 是的/why 为什么）
Z
zealpal（使用热诚技能为主要攻击技能的圣骑士）

⑤ 常见网络安全攻击有哪些

1、DoS和DDoS攻击
DoS是Denial of
Service的简称，即拒绝服务。单一的DoS攻击一般是采用一对一方式的，通过制造并发送大流量无用数据，造成通往被攻击主机的网络拥塞，耗尽其服务资源，致使被攻击主机无法正常和外界通信。
DDos全称Distributed Denial of Service，分布式拒绝服务攻击。攻击者可以伪造IP 地址，间接地增加攻击流量。通过伪造源 IP
地址，受害者会误认为存在大量主机与其通信。黑客还会利用IP 协议的缺陷,对一个或多个目标进行攻击,消耗网络带宽及系统资源,使合法用户无法得到正常服务。
2、MITM攻击
中间人类型的网络攻击是指网络安全漏洞，使得攻击者有可能窃听两个人、两个网络或计算机之间来回发送的数据信息。在MITM攻击中，所涉及的两方可能会觉得通信正常，但在消息到达目的地之前，中间人就非法修改或访问了消息。
3、网络钓鱼攻击
网络钓鱼是通过大量发送声称来自于银行或其他知名机构的欺骗性垃圾邮件，意图引诱收信人给出敏感信息的一种攻击方式。
攻击者可能会将自己伪装成网络银行、在线零售商和信用卡公司等可信的品牌，骗取用户的私人信息。最常见的是向用户发送链接，通过欺骗用户下载病毒等恶意软件，或提供私人信息来完成诈骗。在许多情况下，目标可能没有意识到他们已被入侵，这使得攻击者可以在没有任何人怀疑恶意活动的情况下获取同一组织中更多的相关信息。
在打开的电子邮件类型和单击的链接时要格外留意电子邮件标题，检查回复和返回路径的参数。不要点击任何看起来可疑的东西，也不要在网上留下可以证明自己身份的任何资料，包括手机号码、身份证号、银行卡号码等。
4、鲸鱼网络钓鱼攻击
之所以如此命名，是因为它针对的是组织的大鱼。通常包括最高管理层或其他负责组织的人，这些人掌握着企业或其运营的专有信息，更有可能为了买断信息而支付赎金。
鲸鱼网络钓鱼攻击可以通过采取相同的预防措施来避免攻击，例如仔细检查电子邮件及其随附的附件和链接，留意可疑的目的地或参数。
5、鱼叉式网络钓鱼攻击
鱼叉式网络钓鱼攻击是指一种有针对性的网络钓鱼攻击，攻击者花时间研究他们的预期目标，通过编写与目标相关性极强的消息来完成攻击。通常鱼叉式网络钓鱼攻击使用电子邮件欺骗，电子邮件发送人可能是目标信任的人，例如社交网络中的个人、密友或商业伙伴，使得受害者难以发觉。
6、勒索软件
勒索软件是一种流行的木马，通过骚扰、恐吓甚至采用绑架用户文件等方式，使用户数据资产或计算资源无法正常使用，并以此为条件向用户勒索钱财。这类用户数据资产包括文档、邮件、数据库、源代码、图片、压缩文件等多种文件。赎金形式包括真实货币、比特币或其它虚拟货币。
7、密码攻击
密码是大多数人访问验证的工具，因此找出目标的密码对黑客来说非常具有吸引力。攻击者可能试图拦截网络传输，以获取未经网络加密的密码。他们通过引导用户解决看似重要的问题来说服目标输入密码。
一些安全性较低的密码很容易被攻击者获取，例如“1234567”。此外，攻击者还经常使用暴力破解方法来猜测密码，即使用有关个人或其职位的基本信息来尝试猜测他们的密码。例如，通过组合用户的姓名、生日、周年纪念日或其他个人信息破译密码。
8、SQL注入攻击
SQL注入攻击是指后台数据库操作时，如果拼接外部参数到SQL语句中，就可能导致欺骗服务器执行恶意的SQL语句，造成数据泄露、删库、页面篡改等严重后果。按变量类型分为：数字型、字符型;按HTTP提交方式分为：GET注入、POST注入、cookie注入;按注入方式可分为：报错注入、盲注、堆叠注入等等。

⑥ 关于 暗黑破坏神 的

MF,意思是掉宝率.MF越高越容易掉出好的DD
除了神符之语外,只要把宝石/神符/珠宝镶嵌在装备上,那装备都会带有你镶嵌DD的属性.属性允许累加.

神符之语合成要求
1.只能是白色(需打孔)黑色(带孔)无形的,超强的白色黑色装备.总之一个条件,不能带有魔法属性.兰色,绿色.亮金/暗金都不行
2.合成神符之语必须对应相同孔数
3.神符放置必须按公式规定.相同的神符和相同的 顺序.
4.AC5场景卖的装备,虽说部分不带魔法属性,但属于兰色装备.也不能合成
符文之语速查手册

孔数 物品 符文 名称
2 头盔 9+12 学识
2 头盔 4+3 天底
2 盔甲 4+17 烟尘
2 盔甲 7+5 隐密（潜行）
2 盔甲 23+3 审慎
2 盾牌 13+5 韵律
2 盾牌 5+17 灿烂
2 剑/斧/钉头槌 3+1 钢铁
2 近战武器 11+3 力量
2 手杖 14+16 白色
2 近战武器 29+1 风
2 法杖 3+8 叶
2 远距离武器 9+5 和风

3 头盔 20+24+16 迪勒瑞姆
3 头盔 4+12+6 光辉
3 头盔 16+31+21 梦境
3 盔甲 31+6+30 迷
3 盔甲 19+22+21 幽暗
3 盔甲 15+17+19 狮心
3 盔甲 20+18+3 财富
3 盔甲 29+28+12 飞龙
3 盔甲 13+22+10 强制
3 盾牌 18+18+23 圣堂
3 盾牌 8+9+7 远古誓言
3 盾牌 29+28+12 飞龙
3 盾牌 16+31+21 梦境
3 爪类 19+27+22 混沌
3 棍棒/铁槌/钉头槌 10+16+4 黑色
3 近战武器 31+25+5 狂暴
3 剑/权杖 11+8+10 国王之恩典
3 近战武器 6+1+5 怨恨
3 远距离攻击武器 13+18+4 优雅旋律
3 武器 3+14+23 毒液
3 远程武器 3+7+11 边缘
3 剑/榔头/权杖 11+20+18 执法者
3 斧子/剑/长棍 13+22+3 新月

4 盔甲 14+22+30+24 荣耀之链
4 盔甲 8+27+29+5 荆棘
4 盔甲 13+22+21+17 石块
4 盔甲 1+12+14+28 刚毅
4 盾 7+10+9+11 精神
4 盾 26+26+28+31 凤凰
4 游侠盾牌 26+27+24+14 流亡
4 斧子/棍棒 19+27+9+31 饥荒
4 法杖/棍棒 18+26+21+10 橡树之心
4 剑/斧子 23+22+25+19 弑君者
4 武器 29+32+11+28 正义之手
4 武器 14+9+2+20 热情
4 权杖 5+8+9+7 圣雷
4 法杖 17+16+12+5 回忆
4 武器 1+12+14+28 刚毅
4 远程武器 27+31+20+2 信心
4 远程武器 3+6+12+18 和谐
4 远程武器 11+13+31+28 冰冻
4 长柄武器 30+23+30+24 无限
4 长柄武器/法杖 8+3+7+12 眼光
4 剑/斧/木棒 13+21+23+17 誓约
4 武器 26+26+28+31 凤凰
4 长柄武器 32+29+16+28 骄傲
4 长柄武器/权杖 15+18+20+25 裂逢
4 剑 7+10+9+11 精神
4 剑/木棍 20+18+1+2 思考之声
4 远程武器 21+17+30+23 愤怒
4 远程武器 31+28+23+25 品牌

5 武器 11+8+23+24+27 武装号召
5 斧子/棍棒/榔头 15+27+22+28+32 末日
5 近战武器 11+30+24+12+29 永恒
5 斧子/棍棒/榔头 30+3+22+23+17 野兽
5 近战武器 11+1+6+3+12 荣耀
5 剑/斧 15+1+26+9+25 死神
5 长柄武器/剑 26+28+30+31+18 毁灭
5 剑/斧 5+3+28+23+8 悔恨
5 长柄武器 15+18+10+5+19 遵从

6 远程武器 26+15+1+2+33+5 死亡呼吸
6 近战武器 26+15+1+2+33+5 死亡呼吸
6 远程武器 14+2+15+24+3+26寂静
6 近战武器 14+2+15+24+3+26寂静
6 剑/榔头/斧 31+23+31+29+31+30最后希望

有部分神符只能在战网使用.单机使用的话必须下神符之语补丁.网上很多的.

⑦ 国内集成电路行业，目前的情况怎么样前景如何

我这里有一份。要的话可以给你发一份。

2011 年 1月 2日
中国集成电路产业发展现状 中国集成电路产业发展现状 集成电路产业发展
关键词：中国集成电路现状
集成电路产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发 展迅速，技术日新月异。2003年前中国集成电路产业无论从质还是从量来说都不 算发达， 但伴随着全球产业东移的大潮， 中国的经济稳定增长， 巨大的内需市场， 以及充裕的人才，中国集成电路产业已然崛起成为新的世界集成电路制造中心。 二十一世纪， 我国必须加强发展自己的电子信息产业。 它是推动我国经济发展， 促进科技进步的支柱，是增强我国综合实力的重要手段。作为电子信息产业基 础的集成电路产业必须优先发展。只有拥有坚实的集成电路产业，才能有力地 支持我国经济、军事、科技及社会发展第三步发展战略目标的实现。
一、我国集成电路产业发展迅速 1998 年我国集成电路产量为 22.2 亿块，销售规模为 58.5 亿元。 到 2009 年，我国集成电路产量为 411 亿块，销售额为 1110 亿元，12 年间产量 和销售额分别扩大 18.5 倍与 20 倍之多，年均增速分别达到 38.1%与 40.2%，销 售额增速远远高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中国集成电路产业重大变化 2008年是中国集成电路产业发展过程中出现重大变化的一年。 全球金融危机不 仅使世界半导体市场衰退，同时也使中国出口产品数量明显减少，占中国出口总 额1/3左右的电子信息产品增速回落，其核心部件的集成电路产品的需求量相应 减少。 人民币升值也是影响产业发展的一个不可忽视的因素， 因为在目前国内集成电 路产品销售额中直接出口占到70%左右， 人民币升值对于以美元为结算货币的出 口贸易有着重要影响，人民币兑美元每升值1%，国内集成电路产业整体销售额 增幅将减少1.2到1.4个百分点，在即将到来的2011年里，人民币加速升值值得关 注。 三、中国集成电路产品产销概况 中国集成电路产品产销概况 中国集 2008年中国集成电路产业在产业发展周期性低谷呈现出增速逐季递减状态， 全年 销售总额仅有1246.82亿元，比2007年减少了0.4%，出现了未曾有过的负增长局 面；全年集成电路产量为417.14亿块，较2007年仅增长了1.3%。近几年我国集成 电路产品产量和销售额的情况如图1和图2所示：
图1 2003—2008年中国集成电路产品产量增长情况
图2 2003—2008年中国集成电路产品销售额增长情况 由上图可知，最近几年我国集成电路产品销售额虽逐年上升，但上升的速度却 缓慢，这是因为在国务院18号文件颁布后的五年中，中国集成电路产业的产品销 售额一直以年均增长率30%以上的速度上升， 是这个时期世界集成电路增长速度 的3倍，是一种阶段性的超高速发展的状态；一般情况下，我国集成电路产业年 均增长率能保持在世界增长率的1.5倍左右已属高速发展，因此，在2007年以后， 我国集成电路产业的年增长速度逐步减缓应属正常势态， 在世界集成电路产业周 期性低谷阶段，20%左右的年增长率仍然是难得的高速度。世界经济从美国次贷 危机开始逐步向全世界扩展，形成金融危机后又向经济实体部门扩散，从2008
年开始对中国集成电路产业产生影响，到第三季度国际金融危机明显爆发后，中 国集成电路产业销售额就出现了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形态。图3 是这个变化过程。
图3 2006Q1－2008Q4中国集成电路产品销售收入及同比(季期)增长率 中国集成电路产业的发展得益于产业环境的改善， 抵御金融危机的影响政策 十分显著。2008年1月，财政部和国家税务总局发布了《关于企业所得税若干优 惠政策的通知》(财税〔2008〕1号)，对集成电路企业所享受的所得税优惠十分 重视。日前通过的《电子信息产业调整和振兴规划》 ，又把“建立自主可控的集成 电路产业体系”作为未来国内信息产业发展的三大重点任务之一，在五大发展举 措中明确提出“加大投入，集中力量实施集成电路升级”。2005年由国务院发布的 《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006━2020年)》(国发[2005]44号),确定 并安排了16个国家重大专项，其中把“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件 产品”与“超大规模集成电路制造装备及成套工艺”列在多个重大专项的前两位； 2008年4月国务院常务会议已审议并原则通过了这两个重大专项的实施方案，为 专项涉及的相关领域提供了良好的发展契机。 中国各级政府对集成电路产业发展 的积极支持和相关政策的不断落实， 对我国集成电路产业的发展产生了积极的影 响。 四、中国集成电路产品需求市场 近些年来，随着中国电子信息产品制造业的迅速发展，在中国市场上对集成 电路产品的需求呈现出飞速发展的势态，并成为全球半导体行业的关注点，即使 中国集成电路产品的需 在国内外半导体产业陷入低迷并出现了负增长的2008年，
求市场仍保持着增长的势头， 这是由中国信息产品制造业的销售额保持着10%以 上的正增长率所决定的。 中国最近几年的集成电路产品市场需求额变化情况如图 4所示。
图4 2004-2008年中国集成电路市场需求额 五、我国集成电路产业结构 设计、制造和封装测试业三业并举，半导体设备和材料的研发水平和生产能 力不断增强，产业链基本形成。随着前几年 IC 设计业和芯片制造业的加速发展， 设计业和芯片制造业所占比重逐步上升，国内集成电路产业结构逐渐趋于合理。 2006年设计业的销售额为186.2亿元， 比2005年增长49.8%； 2007年销售额为225.7 亿元，比2006年增长21.2%。芯片制造业2006年销售额为323.5亿元，比2005年增 长了38.9%； 2007年销售额为397.9亿元， 比2006年增长又23.0%。 封装测试业2006 年销售额为496.6亿元，比2005年增长43.9%；2007年销售额为627.7亿元，比2006 年增长26.4%。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、 27.2亿元、161.1亿元，分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%，产业结构 不尽合理。 最近5年来， 在产业规模不断扩大的同时，IC 产业结构逐步趋于合理， 设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国 IC 设计业、芯片 制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元，分别占全年 总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。 半导体设备材料的研发和生产能力不断增强。 在设备方面， 65纳米开始导入生产， 中芯国际与 IBM 在45纳米技术上开展合作，FBP（平面凸点式封装）和 MCP（多
芯片封装）等先进封装技术开发成功并投入生产，自主开发的8英寸100纳米等离 子刻蚀机和大角度离子注入机、12英寸硅片已进入生产线使用。在材料方面，已 研发出8英寸和12英寸硅单晶，硅晶圆和光刻胶的国内生产能力和供应能力不断 增强。
但是2008年，国内集成电路设计、芯片制造与封装测试三业均不同程度的受 到市场低迷的影响，其中芯片制造业最明显，全年芯片制造业规模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企业均出现了产能闲置、业绩下滑的情 况；封装测试业普遍订单下降、开工率不足，全年增幅为-1.4%；集成电路设计 业也受到国内市场需求增长放缓的影响， 由于重点企业在技术升级与产品创新方 面所做的努力部份地抵御了市场需求不振所带来的影响， 全年增速仍保持在正增 长状态，为4.2%，高于国内集成电路产业的整体增幅。如图5所示。
图5 2008年中国集成电路产业基本结构
六、集成电路技术发展 集成电路技术发展 我国技术创新能力不断提高，与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初 的 3 英寸生产线，发展到目前的 12 英寸生产线，IC 制造工艺向深亚微米挺进， 封装测试水平从低端迈向中 研发了不少工艺模块， 先进加工工艺已达到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先进封装形式的开发和生产
方面取得了显著成绩。IC 设计水平大大提升，设计能力小于等于 0.5 微米企业比 例已超过 60%，其中设计能力在 0.18 微米以下企业占相当比例，部分企业设计 水平已经达到 100nm 的先进水平。设计能力在百万门规模以上的国内 IC 设计企 业比例已上升到 20%以上，最大设计规模已经超过 5000 万门级。相当一批 IC 已投入量产，不仅满足国内市场需求，有的还进入国际市场。 总之，集成电路产业是信息产业和现代制造业的核心战略产业，其已成为一些 国家信息产业的重中之重。 2011年我国集成电路产业的发展将勉励更好的发展环 境，国家政府的支持力度将进一步增加，新的扶植政策也会尽快出台，支持研发 的资金将会增多，国内市场空间更为广阔，我国集成电路产业仍将保持较快的发 展速度，占全球市场份额比重必会进一步增大！！ ！
附录： 附录： 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 1947 年，美国贝尔实验室发明了晶体管。 1956 年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施 之一。 1957 年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用 物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接 触二极管和三极管（即晶体管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1962 年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs） ，为研究制备其他化合物半导体打 下了基础。 1962 年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963 年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964 年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965 年 12 月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并 在国内首先鉴定了 DTL 型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966 年底， 在工厂范围内上海元件五厂鉴定了 TTL 电路产品。 这些小规模双极型数字集成电 路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路 等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968 年，组建国营东光电工厂（878 厂） 、上海无线电十九厂，至 1970 年建 成投产，形成中国 IC 产业中的“两霸”。 1968 年，上海无线电十四厂首家制成 PMOS（P 型金属－氧化物半导体）电 路（MOSIC） 。拉开了我国发展 MOS 电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研 究所（现电子第 24 所） 、上无十四厂和北京 878 厂相继研制成功 NMOS 电路。之
后，又研制成 CMOS 电路。 七十年代初，全国掀起了建设 IC 生产企业的热潮，共有四十多家集成电路 工厂建成。 1972 年，中国第一块 PMOS 型 LSI 电路在四川永川半导体研究所研制成功。 1973 年，我国 7 个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条 3 英寸工 艺线，最后只有北京 878 厂，航天部陕西骊山 771 所和贵州都匀 4433 厂。 1976 年 11 月，中国科学院计算所研制成功 1000 万次大型电子计算机，所 使用的电路为中国科学院 109 厂（现中科院微电子中心）研制的 ECL 型（发射极 耦合逻辑）电路。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742 厂）IC 生产线建成验收投产， 这是中国第一次从国外引进集成电路技术。 1982 年 10 月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立 了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”， 制定了中 国 IC 发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983 年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领 导小组提出“治散治乱”， 集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战 略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一 个点指西安，主要为航天配套。 1986 年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集 成电路技术“531”发展战略，即普及推广 5 微米技术，开发 3 微米技术，进行 1 微米技术科技攻关。 1989 年 2 月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出 了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件， 振兴集成电路产业”的发展战略。 1989 年 8 月 8 日， 厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶 742 电子集团公司。 1990 年 10 月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈 会，并向党中央进行了汇报，决定实施九 O 八工程。 1995 年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以 CAD 为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工 程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995 年 10 月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献 计献策，加速我国集成电路产业发展。11 月，电子部向国务院做了专题汇报， 确定实施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海华虹集团与日本 NEC 公司合资组建的上海华虹 NEC 电子有限公司组建，总投资为 12 亿美元，注册资金 7 亿美元，华虹 NEC 主要承 担“九 0 九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这 条从朗讯科技公司引进的 0.9 微米的生产线已经具备了月投 6000 片 6 英寸圆片 的生产能力。 1998 年 1 月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫 2000 系 统，这是我国自主开发的一套 EDA 系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要， 可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998 年 2 月 28 日，我国第一条 8 英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个
项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998 年 4 月，集成电路“九 0 八”工程九个产品设计开发中心项目验收授 牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四 研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东 专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工 业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998 年 3 月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发 的我国第一个-CMOS 微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取 得的一项可喜的成绩。 1999 年 2 月 23 日，上海华虹 NEC 电子有限公司建成试投片，工艺技术档次 从计划中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主导产品 64M 同步动态存储器（S－ DRAM） 这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集 。 成电路芯片生产线。 2000 年 7 月 11 日，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若 干政策》 随后科技部依次批准了上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 个国家级 IC 设计产业化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直径 8 英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项 目在北京有色金属研究总院建成投产；3 月 28 日，国务院第 36 次常务会议通过 了《集成电路布图设计保护条例》 。 2002 年 9 月 28 日，龙芯 1 号在中科院计算所诞生。同年 11 月，中国电子 科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶， 实现 了我国直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内 IC 设计 第一股。 2006 年中星微电子在美国纳斯达克上市。随即珠海炬力也成功上市。 2007 年展讯通信在美国纳斯达克上市。 2008 年《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、 苏州、宁波等国家集成电路产业园。

⑧ 怎样打特殊符号大全 花样

1、带圈数字符号如果输入①—⑩的带圈数字符号，我们一般的做法是利用软键盘的“数字序号”输入，如果输入11—20的带圈数字，我们的做法是先输入数字，然后选中，再利用“工具→中文版式→带圈文字”就可以了。这里告诉大家不用切换，也不用工具的快捷输入方法，即Unicode字符。如果①，先输入2460，然后按Alt+X,刚才输入的2460就变成了①。1—20的带圈数字输入对照表：1 2 3 4 5 6 7 8 9 102460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 246911 12 13 14 15 16 17 18 19 20246a 246b 246c 246d 246e 246f 2470 2471 2472 2473 word:特殊符号巧输入2、货币符号和商标符号⑴快捷输入法人民币符号￥：在中文输入法状态下，按Shift+4；美元符号$：在英文状态下，按Shift+4；欧元符号:Ctrl+Alt+E；商标符号 ?：Ctrl+Alt+T注册符号

⑨ 以下简写字母在贸易报价中是什么意思

你问的话额外难题好深奥啊，我只知道2个，其他2个根本没有听说过

ERS = EQUIP. REST. SURCH 空箱调运费

OPA外发加工措施,OVERWARD PROCESS ARANGEMENT 是指部分加工放在外面，但有部分加工在本地完成，则可领取本地的原产地证