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水的吸附力怎么算

发布时间: 2022-06-11 23:31:58

A. 水有吸附作用吗怎么体现

吸附是液体或气体薄层附着在固体物质上,而固体不与被粘连的物质发生化学反应的现象。理论上讲我认为水没有吸附作用。你理解的可能是水的吸收作用。

B. 当一根小吸管插入一装水的杯子时,吸管中水面高于杯子中水面是由于分子间的吸附力,但是压强又怎么样的呢

压强相等,如果要用压强=pGH计算的话,你要这么算
压强=pGH-吸管壁对水的吸附力(单位面积上的)

C. 国际上表示吸附力的方法

1 Active Area 主动区(工作区) 主动晶体管(ACTIVE TRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(ACTIVE AREA)。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的,而由于利用到局部场氧化之步骤,所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小,以长0.6UM之场区氧化而言,大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在,也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3。2. 性质为无色,具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途,主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤黏膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜,甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义:After Developing Inspection 之缩写2.目的:检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后,如覆盖不良、显影不良…等即予修改,以维护产品良率、品质。3.方法:利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义:AEI即After Etching Inspection,在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后,分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的:2-1提高产品良率,避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大,节省成本3.通常AEI检查出来之不良品,非必要时很少作修改,因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加,生产成本增高,以及良率降低之缺点。
5 AIR SHOWER 空气洗尘室 进入洁净室之前,需穿无尘衣,因在外面更衣室之故,无尘衣上沾着尘埃,故进洁净室之前,需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT 对准 1. 定义:利用芯片上的对准键,一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的:在IC的制造过程中,必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案,对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法:A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼,即机械式对准。
7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性,即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。
8 AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子,让其撞击此靶的表面,把Al/Si的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,一般使用之组成为Al/Si (1%),将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为TARGET,其成分为0.5%铜,1%硅及98.5%铝,一般制程通常是使用99%铝1%硅,后来为了金属电荷迁移现象(ELEC TROMIGRATION)故渗加0.5%铜,以降低金属电荷迁移。
10 ALUMINUN 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料,利用Ar游离的离子,让其撞击此种材料做成的靶表面,把Al的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,将此当作组件与外界导线之连接。
11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度,所作的芯片前处理,这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小,准确度及精密度都无法因应。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理,采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度,精确度远超过入射光干涉法。
12 ANGSTRON 埃 是一个长度单位,其大小为1公尺的百亿分之一,约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上,表示其层(如SiO2,Poly,SiN….)厚度时用。
13 APCVD(ATMOSPRESSURE) 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气),Pressure(压力),Chemical(化学),Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写,也就是说,反应气体(如SiH4(g),B2H6(g),和O2(g))在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物(如BPSG)于芯片上。
14 AS75 砷 自然界元素之一;由33个质子,42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子(As+)可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15 ASHING,STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理,系利用电浆方式(Plasma),将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理,系利用氧气在电浆中所产生只自由基(Radical)与光阻(高分子的有机物)发生作用,产生挥发性的气体,再由帮浦抽走,达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢,但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后,表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用,整个表面之光阻均已变质,若以硫酸吃光阻,无法将表面已变质之光阻加以去除,故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16 ASSEMBLY 晶粒封装 以树酯或陶瓷材料,将晶粒包在其中,以达到保护晶粒,隔绝环境污染的目的,而此一连串的加工过程,即称为晶粒封装(Assembly)。封装的材料不同,其封装的作法亦不同,本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装,制程包括:芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」(导线架,即Lead frame)→焊线→模压封装→稳定烘烤(使树酯物性稳定)→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之IC,通常用于消费性产品,如计算机、计算器,而以陶瓷作封装材料之IC,属于高性赖度之组件,通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17 BACK GRINDING 晶背研磨 利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装,着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil~30 mil左右,为了便于晶粒封装打线,故需将芯片厚度磨薄至10 mil ~15mil左右。
18 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤,软烤,预烤 烘烤(Bake):在集成电路芯片上的制造过程中,将芯片至于稍高温(60℃~250℃)的烘箱内或热板上均可谓之烘烤,随其目的的不同,可区分微软烤(Soft bake)与预烤(Hard bake)。软烤(Soft bake):其使用时机是在上完光阻后,主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除,并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤(Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake),主要目的为去除水气,增加光阻附着性,尤其在湿蚀刻(wet etching)更为重要,预烤不全长会造成过蚀刻。
19 BF2 二氟化硼 ·一种供做离子植入用之离子。·BF2 +是由BF3 +气体晶灯丝加热分解成:B10、B11、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。·是一种P-type 离子,通常用作VT植入(闸层)及S/D植入。
20 BOAT 晶舟 Boat原意是单木舟,在半导体IC制造过程中,常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工,这种承载芯片的工具,我们称之为Boat。一般Boat有两种材质,一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高(大于300℃)的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF:NH4F=1:6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液,NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H+〕的浓度,使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质,对皮肤有强烈的腐蚀性,不小心被溅到,应用大量水冲洗。
22 BONDING PAD 焊垫 焊垫-晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装(Assembly)的制程中,有一个步骤是作“焊线”,即是用金线(塑料包装体)或铝线(陶瓷包装体)将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图(Bonding Diagram)连接在一起,如此一来,晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小,(目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙),而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制,只能做到1.0~1.3mil(25.4~33j微米)左右,在此情况下,要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上,一定会造成多条铝线的接桥,故晶粒上的铝路,在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层,此即为焊垫,以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上(以粒封装时的焊线作业),其形状多为正方形,亦有人将第一焊线点作成圆形,以资辨识。焊垫因为要作接线,其上得护层必须蚀刻掉,故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层,位于晶粒内部而非四周,其上也看不到开窗线,是为电容。
23 BORON 硼 自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有同位素,是由五个质子及五个中子所组成原子量是10(B10)。自然界中这两种同位素之比例是4:1,可由磁场质谱分析中看出,是一种P-type的离子(B 11+),用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24 BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG乃介于Poly之上、Metal之下,可做为上下两层绝缘之用,加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓,以防止Metal line溅镀上去后,造成断线。
25 BREAKDOWN VOLTAGE 崩溃电压 反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正,如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小,而当所加电压值大于此特定值后,反向电流会急遽增加,此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压(BREAKDOWN VOLTAGE)一般吾人所定义反向P+ - N接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压,在P+ - N或 N+-P之接回组件中崩溃电压,随着N(或者P)之浓度之增加而减小。
26 BURN IN 预烧试验 「预烧」(Burn in)为可靠性测试的一种,旨在检验出哪些在使用初期即损坏的产品,而在出货前予以剔除。预烧试验的作法,乃是将组件(产品)至于高温的环境下,加上指定的正向或反向的直流电压,如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式(Failure Mode)提早显现出来,达到筛选、剔除「早期夭折」产品之目的。预烧试验分为「静态预烧」(Static Burn in)与「动态预烧」(Dynamic Burn in)两种,前者在试验时,只在组件上加上额定的工作电压即消耗额定的功率,而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入,故较接近实际状况,也较严格。基本上,每一批产品在出货前,皆须作百分之百的预烧试验,馾由于成本及交货其等因素,有些产品旧只作抽样(部分)的预烧试验,通过后才出货。另外对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品,亦可以抽样的方式进行,当然,具有高信赖度的产品,皆须通过百分之百的预烧试验。
27 CAD 计算机辅助设计 CAD:Computer Aided Design计算机辅助设计,此名词所包含的范围很广,可泛称一切计算机为工具,所进行之设计;因此不仅在IC设计上用得到,建筑上之设计,飞机、船体之设计,都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时,设计者必须以有限之记忆、经验来进行设计,可是有了所谓CAD后,我们把一些常用之规则、经验存入计算机后,后面的设计者,变可节省不少从头摸索的工作,如此不仅大幅地提高了设计的准确度,使设计的领域进入另一新天地。
28 CD MEASUREMENT 微距测试 CD: Critical Dimension之简称。通常于某一个层次中,为了控制其最小线距,我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中,通常置于晶方之边缘。简言之,微距测量长当作一个重要之制程指针,可代表黄光制程之控制好坏。量测CD之层次通常是对线距控制较重要之层次,如氮化硅、POLY、CONT、MET…等,而目前较常用于测量之图形有品字型,L-BAR等。

D. 中班科学教案水的吸附力,如何上呀

执教者:屈桢活动设计思路:科学活动是五大领域中具有探究性质的活动,幼儿对于不知道的事情往往都是很有好奇心,!中班的幼儿都有自己的思维是想法了.在我们的生活中有的东西是吸水的有的东西是不吸水的!教师通过把水倒在另一个杯子里然后水不见了的魔术激发幼儿的探究兴趣,让幼儿在实验中找到为什么刚刚杯子里的水不见了!从而让幼儿知道生活中哪些东西吸水哪些东西不吸水!充分发展中班幼儿的动手操作能力以及观察力!让幼儿体验探究带来的乐趣!活动目标:激发幼儿的探究兴趣,使幼儿在活动中体验乐趣.让幼儿通过动手操作,知道生活中有些东西吸水,有些东西不吸水.发展幼儿的观察力,动手操作能力,能大胆的说出自己的想法.活动重难点:重点:让幼儿通过动手操作,知道生活中有些东西吸水有些东西不吸水.难点:发展幼儿的观察力,动手操作能力,能大胆的说出自己的想法.活动准备:1.知识经验的准备(1) 教师应充分了解生活中哪些东西吸水哪些东西不吸水.(2) 幼儿认识一些常见的操作材料.2.物质材料的准备(1) 两个杯子(一个透明的一个纸杯)一个大的玻璃缸.一张大的记录表.(2) 每组一盆水,海绵,积木,雪花片,卫生纸,棉花等一些材料.每组记录卡一张,笔.1,以变魔术的形式激发幼儿的兴趣 (1)今天老师要给小朋友们表演一个魔术,请下面的小朋友们仔细观察.(2)出示两个杯子,一个装有水,另一个空的,这时候老师要变魔法了,将水 倒入另一个空杯子里,可结果水不见了.(3)请幼儿讨论水为什么不见了,跑哪里去了?(4)教师不解开魔术,让幼儿带着疑问开张下面的活动.2.出示物品和记录表.(1)老师今天给小朋友们带来了一些物品,想请小朋友们来猜测一下这些物品 它们是否吸水?(2)介绍记录表,告诉幼儿如果你们认为它吸水在下面打 (勾勾)如果你 们认为不吸水就在下打(叉叉),如果有不同答案的就打上疑问号.(3) 跟幼儿说清楚怎样才算是吸水,并且当场做个示范,先让幼儿把这个概念清楚在进行猜测记录.3.幼儿自己动手实验操作.将幼儿分成四组,给每组幼儿提供一篮材料.(1) 告诉幼儿科学的结果是需要实验来验证的.(2) 用桌子把材料摆好,幼儿分组就坐.(对幼儿讲述实验时应该注意的事项.(3) 幼儿根据实验结果做好记录.(每组选一名组长进行记录)(4) 教师这时候只起到一个引导的作用.4.幼儿把每组的实验结果送到老师手上.教师将每组的实验记录卡贴到黑板上,先不评价他们的答案是否正确,教师用大的玻璃钢再把这些物品重新进行一次实验.重新判断上类物品是否吸水,教师及时表扬做对了的小朋友!5.总结.通过刚刚的实验我们把我们不知道的事情得到了结果,棉质的,布质的东西是吸水的,木的铁的塑料的是不吸水的,原来呀科学的实验可以让我们找到很多我们不懂得东西的答案,现在小朋友应该知道了刚刚为什么老师的水会变没了吧?幼儿答.6.下面让我们一起来看一看我们哪些东西也可以吸水.(出示图片)逐个进行分析.让幼儿大胆说出自己的想法.7.活动延伸.在我们的生活中还有哪些东西是吸水的呢?

E. 水有吸附作用吗,是不是可以把液体和固体吸起来

溶液表面的吸附
水的表面张力因加入溶质形成溶液而改变,有些溶质加入后能使溶液的表面张力降低,另一些溶质加入后则会使溶液的表面张力升高。若所加入的溶质能降低表面张力,则溶质力图浓集在表面层上以降低体系的表面能;反之,当溶质使表面张力升高时,则表面层中的浓度比内部的浓度低,这种溶液表面层的组成与本体溶液的组成不同的现象称为表面层发生了吸附作用。在溶液表面层上溶质的浓度可以大于、等于或小于溶液内部的浓度,分别对应着正吸附、不吸附和负吸附。
根据实验,水溶液中表面张力随溶质浓度变化曲线大致分为三类。

F. 吸附水的测定

重量法

方法提要

试样经 110℃烘干至恒量后失去的质量为吸附水含量。

方法适用于潮间带、河口、海洋沉积物及水系沉积物中吸附水的测定。

分析步骤

称取 1g (精确至 0.0001g) 试样。置于 110℃干燥过并称至恒量的称量瓶内,轻轻晃动使试样均匀平铺于底部,半开瓶盖,置于已升温至 110℃的烘箱内干燥 5h,取出,盖严瓶盖,稍冷后放入干燥器中,冷却至室温。称量 (称量前微启瓶盖 1s,使瓶内压力与大气压平衡) 。再放入烘箱中,在相同温度下干燥半小时,取出冷却称量,直至恒量为止。

按下式计算试样中吸附水的含量:

岩石矿物分析第四分册资源与环境调查分析技术

式中:w(H2O-)为吸附水的质量分数,%;m1为干燥前试样与称量瓶的质量,g;m2为干燥后试样与称量瓶的质量,g;m为称取试样的质量,g。

注意事项

由于海洋沉积物试样盐分高,试样不易烘干,烘干后又极易吸水,因此环境的湿度对H2O-测定产生明显的影响。一般来说,环境湿度越大,试样吸水越多。因此在操作中尽量减少干燥样暴露在空气中的时间,控制称样环境在标准湿度(65%)附近显得极为重要。试样干燥后,也不宜在干燥器中久放,否则影响测定的准确性。

G. 水面张力教案水分子相互吸附的力

是水分子与水分子吸引形成的。当水分子在水中时由于分子在各个方向上的力大小一样的。所以能平衡。当处于水面时由于空气中的分子数量比水中的要少的多所以表面的水分子受力不平衡。有一个向下的力。所以表层水分子有收缩的趋势。也就是表面张力

H. 水面吸附力

简单.
如果证明是水的吸附力的话.为什么要把水装满?你举反例的话可以用同样的方法 知识水不装满 留一点空间 这样纸片和水就都会倒出
这是为什么呢?
很简单 装满谁的时候 杯中没有空气 杯下的空间的压力使纸片牢牢压住杯口 所以水和纸片都不会落下
而杯中有空气之后 杯子中上下都有空气 压力差相抵消 水就由于重力和纸片一起从瓶中倒出了

I. 水汽的重力吸附可以得到哪些数据

是“毛细管”原理。在土壤里有很多等效于吸管的结构,就是这些结构将水吸到了山顶。

从自然的角度来看,山有多高水有多高,主要有三个原因:
第一,由于重力的作用,地球上的任何物体都受到重力的作用,包括地球表面的水。由于有重力的作用,水总是往下流的。
但是,由于地球是对称的,我们看到的最高的山峰,从地球的另外一面来看,就是最低点,正因为有地球的吸引力,使得地球表面的物体,包括水,都受到一个向地心的作用,从而有向着地心的
运动
趋势,因此从整个地球的角度来看,而不是日常习惯,地球表面的水到达地球表面的任何位置都是机会均等的。
第二,由于地球的自转,使得地球表面的任何物体都受到一个背着地心的离心力的作用,包括地球表面的水,同样受到离心力的作用。
正因为有离心力的作用,使地球表面的任何物体,包括地球表面的水,与其受到的重力形成平衡,使得地球表面的水在客观上有可能到达地球的任何位置,只欠一条水流动的渠道。
第三,由于水的吸附作用,如果地壳下有水,那么地下水就有可能因为吸附作用,沿着岩石缝隙到达任何位置。
正因为由于大山内部的岩石缝隙给了地球表面的水流动的渠道,再加上水的吸附作用,水就会沿着地球表面的任何可能的位置流出来

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