ttl數字貨幣

① CCM1701是什麼晶元

CCM1701是MCU晶元。

主要特性有：MCU和DSP架構設計，DSP運行頻率高達96MHz。

CCM存在意義的第一個要點就是遵循國家的法律法規，所以CCM並不是一個數字貨幣，只能稱為一個由區塊鏈技術所開發的數字通證！想獲得CCM你只能在CCM 旗下的各大應用場景裡面免費挖礦獲得。

型號：

晶元命名方式一般都是：字母+數字+字母。

前面的字母是晶元廠商或是某個晶元系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。

中間的數字是功能型號。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只是廠家不一樣。

後面的字母多半是封裝信息，要看廠商提供的資料才能知道具體字母代表什麼封裝。

74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什麼公司的產品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。

② 我想問一下集成電路目前的現狀，希望有專業人士不吝賜教，大致介紹一下目前比較前沿的發展情況。

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞：中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右， 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年裡，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以後， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機後又向經濟實體部門擴散，從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發後，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善， 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出「加大投入，集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項，其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，並成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年，
求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展， 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨於合理， 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多
晶元封裝）等先進封裝技術開發成功並投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年，國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中晶元製造業最明顯，全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 製造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出台，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，佔全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！
附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出「向科學進軍」，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年，上海無線電十四廠首家製成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後，又研製成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最後只有北京 878 廠，航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現中科院微電子中心）研製的 ECL 型（發射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產線建成驗收投產， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導，成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」， 制定了中 國 IC 發展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」， 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會，提出 了「加快基地建設，形成規模生產，注重發展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會，並向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出「九五」集成電路發展戰略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術創新能力的建設，促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產業發展。11 月，電子部向國務院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日，「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統，這是我國自主開發的一套 EDA 系統，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規模達百萬門級，支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產，這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌，這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功，我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產品 64M 同步動態存儲器（S－ DRAM） 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日，國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產；3 月 28 日，國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。

③ 中國貨幣的替代性方面的研究論文

真的很難找啊。。。

怪不得沒人回復。。

這些東東可能對你用用。。。

祝你好運！

電子貨幣發展對貨幣流通速度的影響――基於協整的實證研究
周光友
(西安交通大學 經濟與金融學院 陝西 西安 710061)
摘要:通過統計分析,本文認為電子貨幣影響貨幣流通速度的因素主要有:現金比率,貨
幣供給的"流動性",金融電子化程度以及貨幣電子化程度,它們對貨幣流通速度的影響是
不同的.進一步分析發現,中國電子貨幣對傳統貨幣有著兩個明顯的替代效應:一是替代
加速效應,二是替代轉化效應.兩個替代效應的存在使電子貨幣並沒有加快貨幣流通速度,
反而導致了貨幣流通速度的下降,這與大多數學者的研究結論相反.本文的結論也許可以
用來解釋近年來我國貨幣流通速度下降的原因.同時,電子貨幣通過對貨幣流通速度的影
響必然會到貨幣政策的有效性,因此,中央銀行在制定貨幣政策時必須加以考慮.
關鍵詞:電子貨幣;貨幣流通速度;貨幣政策效應;協整
中圖分類號: 文獻標識碼:A 文章編號:
作者簡介:
第一作者:周光友(1971,5-),男,經濟學博士,研究方向:貨幣金融理論.
曾在核心期刊上發表學術論文近20篇.
聯系方式:
地址:鄭州大學升達學院國貿系 周光友(收)
郵編:451191
電話:0371-62436179 手機:(0)13783501878
Email: [email protected](優先)
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電子貨幣發展對貨幣流通速度的影響――基於協整的實證研究
周光友
(西安交通大學 經濟與金融學院 陝西 西安 710061)
摘要:通過統計分析,本文認為電子貨幣影響貨幣流通速度的因素主要有:現金比率,貨幣供給的"流動
性",金融電子化程度以及貨幣電子化程度,它們對貨幣流通速度的影響是不同的.進一步分析發現,中
國電子貨幣對傳統貨幣有著兩個明顯的替代效應:一是替代加速效應,二是替代轉化效應.兩個替代效應
的存在使電子貨幣並沒有加快貨幣流通速度,反而導致了貨幣流通速度的下降,這與大多數學者的研究結
論相反.本文的結論也許可以用來解釋近年來我國貨幣流通速度下降的原因.同時,電子貨幣通過對貨幣
流通速度的影響必然會到貨幣政策的有效性,因此,中央銀行在制定貨幣政策時必須加以考慮.
關鍵詞:電子貨幣;貨幣流通速度;貨幣政策效應;協整
電子貨幣的產生和發展不僅改變了人們的生活習慣,支付方式,而且已經給傳統的貨
幣和金融理論帶來了極大的挑戰.近年來,隨著我國電子貨幣的快速發展,它對通貨和存
款的取代作用越來越明顯.與此同時,我國的貨幣流通速度呈現出不斷下降的趨勢,這種
變化對貨幣政策的制定和實施都會產生較大影響.從理論上說,由於電子貨幣具有高流動
性的特點,它對傳統貨幣的取代必然會改變貨幣流通速度,從許多電子貨幣發展較快國家
的實際數據來看,自電子貨幣出現以來,貨幣流通速度也變得極其不穩定,因此可以斷定
電子貨幣必然會對貨幣流通速度產生影響,至於這種影響程度有多大則是我們要研究的問
題.因而對此問題的研究不但可以從另一的角度解釋貨幣流通速度變化的原因,而且對提
高中央銀行貨幣政策的有效性有著重要的意義.
本文以下的結構安排是:第一部分為文獻綜述,在回顧國內外相關文獻的基礎上,對
相關的理論觀點進行了簡要的評介,並提出了本文的理論假設.第二部分,第三部分為電
子貨幣與貨幣流通速度相關性的實證分析過程.第四部分是模型結果的分析.最後是全文
的結論及政策建議.
一,文獻綜述
根據巴塞爾委員會的定義:電子貨幣是指在零售支付機制中,通過銷售終端,不同的
電子設備之間以及在公開網路(如Internet)上執行支付的"儲值"和預付支付機制.[1]貨
幣流通速度則是指一定時期內(通常為一年)貨幣流通的次數.國內外許多學者對影響貨
幣流通速度變化的因素進行了研究.
歐洲中央銀行(1988)在《電子貨幣報告》中,認為電子貨幣會加快貨幣流通速度;[2]
國際清算銀行(BIS)對電子貨幣研究的一些報告在對各國電子貨幣的發展和應用情況進行
介紹以及其風險和監管研究的同時,都不同程度地涉及了電子貨幣對貨幣流通速度影響的
內容,並認為電子貨幣會加速貨幣流通速度.Survey of Electronic Money(1996),
[3]Implications for Central Banks of the Development of Electronic Money(BIS,1996
年10月),Risk Management for Electronic Banking and Electronic Money
Activities(BCBS,1998年3月),BIS於2000年5月和2001年11月分別出版了題為Survey of
Electronic Money Developments的兩份報告,之後又於2004年4月出版了Survey of
Developments in Electronic Money and Internet and Mobile Payments.此外,國外
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學者在對電子貨幣研究的相關文獻中也認為電子貨幣會對貨幣流通速度產生影響.
Berentsen, Aleksander, Kyklos (1998),在論述了電子貨幣產品的特徵,並提出電子貨
幣的使用將對貨幣需求,供給及貨幣流通速度產生影響;[4] Aleksander Berentsen(2002)
討論了電子貨幣對貨幣需求及其過程,貨幣流通速度,准備金需求,中央銀行貨幣控制權
及貨幣政策傳導機制的影響;[5] James A. Dorn(1996)認為,由於電子貨幣的存在及其對
貨幣流通速度的影響,降低了中央銀行控制基礎貨幣的能力;[6] Susan M. Sullivan (2002)
認為,隨著電子貨幣的廣泛使用,將限制中央銀行貨幣供給的控制能力,使貨幣流通速度
加快,鑄幣稅收入減少,貨幣乘數發生變化等.[7]
從國內來看,王魯濱(1999),在分析電子貨幣對貨幣需求的影響時認為,電子貨幣替
代了通貨使通貨減少,從而加快了貨幣流通速度.[8]尹龍(2000)在分析電子貨幣對貨幣政
策中介目標可控性方面的影響時認為,根據傳統的貨幣理論,貨幣的流通速度基本穩定或
有規律的變化,即是可預測的.在此基礎上,才能確定一個與最終目標相一致的中介目標的
控制規模和程度.電子貨幣將使這一理論前提不再成立,它對貨幣流通速度的影響是隨機游
走的,導致短期貨幣流通速度難以預測或預測的准確性受到嚴重影響.[9]董昕,周海(2001)
在分析電子貨幣對貨幣需求時認為,電子貨幣的替代作用使流通中的現金減少,加快了貨幣
的流通速度,也使利用現金進行交易的次數減少,如果支付數字化現金脫離銀行賬目,貨幣
政策的關鍵因素-對中央銀行的貨幣需求量將減少.[10]陳雨露,邊衛紅(2002)將電子貨
幣引入費雪方程式,分析了電子貨幣對貨幣流通速度影響,認為當電子貨幣逐步取代通貨,
尤其是在線電子貨幣的普及和發展.比特形態的電子貨幣以光和電作為物質載體,以接近
於光速的極限在網際網路上高速流通,具有很強的隨機性,這導致短期貨幣流通速度難以預
測或預測的准確性受到影響,費雪交易方程式有待進一步考驗.[11]楊路明,陳鴻燕(2002)在
分析電子貨幣對貨幣政策中介目標可測性和可控性影響時認為,電子貨幣的發展,正在使中
介目標的合理性和科學性日益下降.在可測性方面,貨幣數量的計算與測量,正受到電子貨
幣的分散發行,各種層次貨幣之間迅捷轉換,金融資產之間的替代性加大,貨幣流通速度
加快等各方面的影響.在可控制方面,來自貨幣供給方面的變化,加上貨幣流通速度的不穩
定和貨幣乘數的影響,使貨幣量的可控性面臨著挑戰.[12]蒲成毅(2002)結合中國貨幣供應
的實際,探討了數字現金對貨幣供應和貨幣流通速度的影響.認為貨幣流通速度在初期(以
V0為主)將隨M0 趨向減少而呈下降的態勢,而在後期E ,VE都將趨向增大,M1 的總量
卻將因其流動速度的極快以及向M0轉化的總趨勢,將導致其形態留存時間極短而總量趨向
降低,則貨幣流通速度(以VE為主)將轉而呈上升趨勢,即貨幣流通速度變化特徵呈V字
型.[13]張紅,陳潔(2003)認為電子貨幣加快了貨幣流通速度,使在市場經濟條件下的利
率成為影響貨幣流通速度的非惟一因素.[14]唐平(2005)認為,電子貨幣的廣泛使用,使不
同貨幣需求動機間的邊界變得不再明顯,且貨幣的平均流通速度不斷加快.[15]
此外,國內外的一些學者在分析貨幣流通速度的影響因素時,雖然沒有把電子貨幣作
為一個影響因素進行分析,但在這些分析卻中蘊含了電子貨幣對貨幣流通速度的影響.艾
洪德,范南(2002)在對中國貨幣流通速度影響因素進行統計分析時,得出金融發達程度
是影響中國貨幣流通速度的因素主之一.[16]梁大鵬,齊中英(2004)採用金融相關率和金
融創新度指標對我國1978-1998年間三個層次貨幣的流通速度進行回歸來研究我國金融創
新與貨幣流通速度之間的關系,結果顯示出我國的金融創新與MO和Ml的流通速度正相關,
但是與M2的流通速度負相關.[17]
由此可見,國內外學者在對貨幣流通速度的影響因素進行分析時,都不同程度地涉及
到了電子貨幣對貨幣流通速度的影響.但從總體上看,大多數學者對電子貨幣對貨幣流通
速度的影響僅僅停留在理論分析層面上,並認為電子貨幣會加速貨幣流通速度,從而加大
4
了中央銀行控制基礎貨幣的難度.在對影響貨幣流通速度的因素進行實證研究時,也很少
考慮到了電子貨幣對貨幣流通速度影響,更沒有把電子貨幣看作影響貨幣流通速度的因素
納入模型中,因此對電子貨幣與貨幣流通速度相關性的實證研究相對缺乏.
然而,從國內外學者研究的結論中可明顯看出的是,電子貨幣對貨幣流通速度的影響
是客觀存在的,並且這種影響應該隨著電子貨幣的快速發展而表現得越來越明顯,至於這
種影響程度有多大則主要取決於電子貨幣對傳統貨幣替代的深度和廣度及其對貨幣流通速
度的作用機制.國內外絕大多數學者一致認為,電子貨幣的存在和發展必然會加快貨幣流
通速度.然而,從我國電子貨幣發展的情況來看,特別是從1990年代以來,我國電子貨幣
發展的同時,我國的貨幣流通速度卻呈現出長期持續下降的趨勢,特別是廣義貨幣的流通
速度下降更為明顯.因此,電子貨幣必然會加速貨幣流通速度的觀點並不能解釋我國電子
貨幣與貨幣流通速度二者之間的這種此消彼長的相互關系.雖然,影響貨幣流通速度的因
素很多,而這些影響因素的作用在不同國家和不同的時期也不盡相同,電子貨幣也只是其
中一個,並且電子貨幣還不是影響貨幣流通速度的決定性因素,特別是在電子貨幣發展還
處於發展的初期階段的中國來說更是如此.但是,一方面電子貨幣對貨幣流通速度的影響
有著越來越明顯的趨勢,而另一方面我國的貨幣流通速度卻呈現出長期持續下降的趨勢,
電子貨幣與貨幣流通速度之間究竟是一種什麼樣的關系,電子貨幣的發展是加快還是降低
了貨幣流通速度,這是本文研究的出發點.
為了更好,更直接地揭示電子貨幣對貨幣流通速度影響的程度和作用機制,提高貨幣
政策的有效性,本文在現有研究成果的基礎上,運用協整理論方法和誤差修正模型建立起
我國1978-2000年間電子貨幣與貨幣流通速度之間的穩定關系,並對影響貨幣流通速度的
因素進行分析,進而提出相應的政策建議.
二,模型變數選擇和樣本數據說明
(一)模型選擇
本文在進行電子貨幣對中國貨幣流通速度影響的分析中採用的是協整的理論方法,它
包括單位根檢驗和協整檢驗兩個基本內容.在本文的分析過程中,比較重要的是誤差修正
模型的使用.目前建立誤差修正模型的方法通常有Engle-Granger兩步法和
Wickens-Breusch一步法.本文選擇Engle-Granger兩步法來計算貨幣流通速度與其變數對
短期沖擊的效應.因為Engle-Granger兩步法建立的誤差修正模型含有短期動態行為,即
含有差分項,所以可以用它考慮短期的沖擊作用.而通過Wickens-Breusch一步法,我們
可以得到一種相對於一階單整時間序列而言的長期靜態方程,所以用它來說明長期貨幣流
通速度與其變數在各層面的影響關系.就這三種公式的關系而言,協整關系說明該數列組
之間的變化關系,長期靜態方程說明它們之間的長期關系,而Engle-Granger兩步法方程
僅說明變數差分項之間的關系,因此前兩者關系的反映更為重要.
(二)數據指標選取
有關中國貨幣流通速度數據指標和電子貨幣對貨幣流通速度影響因素的具體選取值,
本文在附表1中已經列出.從國內外數據採集的情況來看,由於月度數據和季度數據難以
獲得,本文在計量模型中採用的是年度指標.為了保證模型的准確性和科學性,變數個數
選取就不能太多,同時不能出現指標間的復共線性.本文在選取數據指標時,分別選取具
有代表性的三個不同貨幣層次指標,目的在於更好地分析電子貨幣條件下,電子貨幣對不
同貨幣層次的替代作用及其對貨幣流通速度的影響.
5
1,現金比率(M0/M2).1它表明現金占廣義貨幣的比率,選擇該指標的目的在於,隨著
電子貨幣的普及與應用,作為劃分貨幣層次依據的流動性將逐漸消失,由於電子貨幣具有
極強的流動性,它使M0,M1,M2之間差異趨向模糊,各貨幣層次之間的轉換就不僅僅只
在M0,M1,M2三者之間進行,亦即轉換的內容和范圍都擴大了,特別是向流動性小的金
融資產(有價證券及其它金融投資品)轉化,即沿M0,M1,M2,M3,…,Mn的腳碼序
號升高的方向轉化.在電子貨幣時代,這種反向轉化所需費用很少,所需時間幾乎為零,
因此,隨著電子貨幣的普遍使用,貨幣層次形態M0,M1,M2,M3,…,Mn將存在逐漸
沿腳碼序號升高方向轉化的趨勢.這種變化趨勢必然使流通中現金的數量減少,現金與廣
義貨幣的比率下降,從而降低貨幣流通速度.
2,貨幣供給的"流動性"(M1/M2)2.它表明狹義貨幣供給相對於廣義貨幣供給的比重.
當M1/M2的值趨於增大,意味著代表現實流通的也即現實將用於購買和支付的貨幣在廣義
貨幣供給量中的比重相對上升,貨幣供給的流動性增強,貨幣流通速度加快;反之,當M1/M2
的值趨於減小,則表明廣義貨幣供給量中的准貨幣比重上升,貨幣供給的流動性減弱,貨
幣流通速度下降.一般來說,在電子貨幣展的初期階段,電子貨幣對現金和活期存款的替
代作用較為明顯.因此如果我國的"流動性"指標的比率下降,則說明電子貨幣對我國現
金和活期存款的替代作用較為明顯,反之則反之.事實上,從我國的實際數據來看,該比
率從1978年的81.9%下降到2000年27.6%.
3,金融電子化程度.本文用(M2-M0)/M2來代替,其觀點在於一國金融系統中非流通現
金比重越大,該國金融電子化程度越高.在電子貨幣條件下,由於電子貨幣對傳統貨幣的
取代程度隨著流動性的下降而減弱,因此電子貨幣對M0的替代作用也必然大於對M2的替
代.這樣,M0的下降就會使(M2-M0)/M2的比率上升,金融電子化程度也就提高.從我國的
實際數據來看,改革開放以來,特別是90年代中後以來,我國的金融電子化程度逐步提高,
而這一時期也正是我國電子貨幣快速發展的時期.
4,貨幣電子化程度(FA/M1).根據金融資產流動性的不同,可以把金融資產分成交易
性金融資產和投資性金融資產兩部分.交易性金融資產是那些可以用於直接支付的金融資
產,它具有很強的流動性,根據貨幣層次的劃分,可以近似看成狹義貨幣Ml.而投資性金
融資產的流動性較差,但它具有到期獲得收益的特性的金融資產,主要包括准貨幣,有價
證券及金融衍生工具.在電子貨幣條件下,由於電子貨幣不僅代替了流通中的現金和存款,
而且使流動性較高的金融資產向流動性較低的金融資產轉化的趨勢.從而電子貨幣會引起
交易性金融資產比重的降低和投資性金融資產比重的提高.為此我們可以用一國金融資產
總量與交易性金融資產數量的比率來反映貨幣電子化程度,這一指標可用公式表示如下:
tttttMFAFATFAEML1//==
其中:EM為貨幣電子化程度,FAT為交易性金融資產數量,FA為金融資產總額.
指標越大說明投資性金融資產數量的比例越大,則貨幣電子化程度越高,越小則說明
貨幣電子化程度越低.從我國的實際數據來看,貨幣電子化指標在1994年後開始快速
增長,這與我國從1995年開始使用電子貨幣,之後電子貨幣得到迅速發展有著密切關
系,同時也說明,在此期間我國貨幣電子化水平是不斷提高的.
三,模型計算及其結果
1 這里的"現金比率"指的是流通中的現金與廣義貨幣的比率,與通常所說的現金比率(現金與流動性負
債的比率)的涵義並不相同.
2 這里所說的"流動性",與經常用來作為貨幣代用語的"流動性"概念的內涵並不相同.
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(一)單位根檢驗
在進行協整分析之前,須對變數的平穩性及其滯後期數進行檢驗.將擬用變數取對數
後,利用EVIEWS3.0經濟應用軟體,採用ADF方法檢驗單位根,檢驗結果如下:
LV0～I(C,1,2)**,LV1～I(C,1,1)**,LV2～I(C,1,1)**,LCR～I(C,1,1)***,
LL～I(C,1,1)**,LFE～I(C,1,1)*,LEM～I(C,1,1)**
其中,圓括弧中中間數字為單整階數,後一個數字為最佳滯後期數.*表示10%的水平
下顯著,**表示5%的水平下顯著,***表示1%的水平下顯著.
(二)協整檢驗
首先,我們以2LV為例進行協整關系檢驗.
1,利用普通最小二乘法(OLS)關於貨幣tM2的流通速度tV2的對數tLV2對現金比率對
數LCR,貨幣供給的流動性對數LL,金融電子化對數LFE與貨幣電子化對數LEM進行回歸,
並計算殘差估計值以∧
t .
tttttLEMLFELLLCRLV1275.08815.10386.56330.18291.02+ + =
(-4.7199) (-1.2526) (8.4015) (-2.0087) (1.1435)
2R=0.9470 DW=0.9480
tttttLEMLFELLLCR1275.08815.10386.56330.18291.0 + +=∧
2,對殘差估計值以∧
t 水平值進行單根檢驗,檢驗結論如下表:
表1 單位根檢驗情況
Lag ADF統計值 臨界值
1 -2.6161
-2.6889 ***
-1.9592 **
-1.6246 *
2 -2.4182
-2.6968 ***
-1.9602 **
-1.6251 *
3 -2.262
-2.7057 ***
-1.9614 **
-1.6257 *
4 -2.1896
-2.7275 ***
-1.9642 **
-1.6269 *
0 -2.9625 -2.6819 ***
7
-1.9583 **
-1.6242 *
其中,***表示在1%水平下顯著,**表示在5%水平下顯著,*表示在10%水平下顯著.
由上表可知,殘差估計值∧
t 序列是I(0)的,也就是說殘差估計值∧
t 序列是平穩的.
從而,貨幣流通速度對數tLV2和現金比率對數LCR,貨幣供給的流動性對數LL,金融電子
化對數LFE與貨幣電子化對數LEM之間是協整的.
同理,可得到貨幣流通速度V1,V0的協整回歸方程:
tttttLEMLFELLLCRLV2039.01952.16626.31618.04955.11+ + =
(4.5166) (-0.0679) (3.3378) (0.6973) (1.5979)
2R=0.5382 DW=0.4286
tttttLEMLFELLLCRLV4712.04378.17940.263759.414532.20+ + =
(2.4423) (-5.4426) (7.6610) (-0.2632) (0.7250)
2R=0.9119 DW=0.8816
(三)建立誤差修正模型
1,如前所述,如果一組變數之間有協整關系,那麼協整回歸總是能被轉換為誤差修正
模型.利用Engle-Granger兩步法建立誤差修正模型.tM2的流通速度tV2的對數tLV2對
現金比率對數LCR,貨幣供給的流動性對數LL,金融電子化對數LFE與貨幣電子化對數LEM
變成的平穩序列以及殘差估計值1 t ,逐個刪除上述方程中t統計值不顯著的項,最終可
得誤差修正模型初步回歸方程:
∧
+ = 124037.01780.13968.40595.0ttttLFELLLV
(0.8506) (0.3212) (0.9313) (-3.2584)
2R=0.6530 DW=2.1378
同理我們可得貨幣流通速度V1,V0的Engle-Granger兩步法建立誤差修正模型.
∧
+ + = 114037.02821.02452.41110.0ttttLFELLLV
(2.1098) (0.6754) (2.2637) (-2.2478)
2R=0.5283 DW=2.1882
∧
+ += 105498.04723.313085.266037.31ttttLFELLLV
(5.7981) (1.8301) (6.3852) (-2.4350)
8
2R=0.2238 DW=0.6250
2,利用Wickens-Breusch一步法,最終得到如下回歸方程:
tttttLEMLFELLLCRLV2471.08407.21358.03417.26324.12 ++ =
同理我們可得貨幣流通速度V1,V0的Wickens-Breusch一步法誤差修正模型.
tttttLEMLFELLLCRLV1908.02415.11524.02103.07861.11 +++=
tttttLEMLFELLLCRLV3174.07562.29173.08324.07452.20 +++=
綜上所述,我們得到貨幣流通速度在V2,V1和V0三個層面上與現金比率,貨幣供給
的流動性,金融電子化程度和貨幣電子化程度的影響關系如表2.
表2 我國電子貨幣對貨幣流通速度影響變化率系數分析
現金比率CR 貨幣供給的流動性L
協整
Engle-Granger
兩步法誤差修
正
Wickens-Breusch
一步法誤差修正
協整
Engle-Granger
兩步法誤差修
正
Wickens-Breusch
一步法誤差修正
V2 -1.6330 2.3417 5.0386 4.3968 0.1358
V1 -0.1618 0.2103 3.6626 4.2452 0.1524
V0 -41.3759 0.8324 26.7940 26.3085 0.9173
金融電子化程度FE 貨幣電子化程度EM
協整
Engle-Granger
兩步法誤差修
正
Wickens-Breusch
一步法誤差修正
協整
Engle-Granger
兩步法誤差修
正
Wickens-Breusch
一步法誤差修正
V2 -1.8815 -1.1780 -2.8407 0.1275 -0.2471
V1 -1.1952 0.2821 1.2415 0.2039 -0.1908
V0 -1.4378 31.4723 2.7562 0.4712 -0.3174
注:該表系數均為變化率影響系數
四,對實證結果的分析
(一)對現金比率(M0/M2)因素的分析
1,模型結論.從表2中可看出,通過模型計算,其結論表明,總體而言中國貨幣流通
速度的變化率在V0,V1,V2層面與現金比率成同方向變動的關系.這說明,改革開放以來,
我國電子貨幣的發展較為迅速,它對通貨(M0)存在著明顯的替代效應.
2,原因分析.中國的貨幣流通速度之所以在V0,V1,V2層面之所以與現金比率成同
方向變動關系可能的原因是:一是電子貨幣對M0的代替作用較為明顯,它一方面使M0的
數量明顯減少,另一方面,它也加速了M0向M1和M2的轉化,在兩方面的共同作用下,必
然會導致M0的減少和M1,M2的增加,使現金比率下降,從而降低了貨幣流通速度;二是
9
雖然現有的理論分析認為,電子貨幣對現金的代替必然會加快貨幣流通速度,這與我國的
實際情況截然不同.主要是因為,從我國目前電子貨幣發展的實際情況看,我國尚處於電
子貨幣發展的初期階段,電子貨幣的發展與發達國家和新興國家相比還相對滯後,電子貨
幣對M0的替代加速效應不明顯,相反電子貨幣的替代轉化效應則非常明顯,兩種替代效應
的存在不但沒有加快貨幣流通速度,反而降低貨幣流通速度.因此,電子貨幣對現金的替
代並沒有從整體上加快我國的貨幣流通速度.當然,需要說明的是,電子貨幣對傳統貨幣
的替代沒有加速貨幣流通速度,只是在我國當前電子貨幣發展的階段,電子貨幣的這種替
代加速作用明顯小於它的替代轉化作用,從而從整體上降低了貨幣流通速度,因此,這種
現象的存在反映了我國電子貨幣發展的階段性特徵,同時也蘊涵了電子貨幣加速貨幣流通
速度的誘因.
(二)對貨幣供給流動性(M1/M2)因素的分析
1,模型結論.從表3中可看出,通過模型計算表明,總體而言中國貨幣流通速度的變
化率在V0,V1,V2層面與貨幣供給流動性成正向變動的關系.從我國的實際數據可看出,
自改革開放以來,該比率從1978年的81.9%下降到2000年27.6%.與此同時,我國在此期
間V0,V1,V2的流通速度也表現出明顯下降的趨勢.因此,該模型結論與實際是完全符合
的.
2,原因分析.長期以來,大多數學者都認為,電子貨幣是一種本身具有高流動性的貨
幣,它對傳統貨幣的取代必然會加快貨幣流通速度,本文認為這是一種認識上的誤區.實
際上,電子貨幣自身具有的高流動性,並不意味著它對貨幣的替代就會加快貨幣流通速度.
電子貨幣對M1的代替,雖然能加速電子貨幣作為支付手段進的流通速度,但這並不是決定
貨幣流通速度高低的唯一因素.我們知道,貨幣流通速度是指貨幣在一定時期內的周轉次
數,影響貨幣流通速度的因素除了貨幣的支付過程中的流通速度外,還會受到公眾持幣動
機的影響.根據凱恩斯的貨幣需求理論,他將公眾的持幣動機分為交易動機,預防動機和
投機動機三種,而前兩種持幣動機形成的貨幣需求是交易性的貨幣需求,而投機動機的貨
幣需求是投機性的貨幣需求.電子貨幣的存在均會對這三種持幣動機產生影響,從而影響
貨幣流通速度,因此,它是影響貨幣流通速度的另一個因素,甚至是更為重要的因素.因
此,我們在分析電子貨幣對公眾持幣動機的影響時,應從人們的持幣時間和持幣結構兩個
方面進行分析.從持幣時間來看,由於電子貨幣具有高流動性的特點,它的存在會使傳統
的貨幣層次模糊,從而使不同層次的貨幣之間的相互轉化更為容易.因此,人們之所以持
有電子貨幣主要是因為它能滿足流動性偏好,電子貨幣對傳統貨幣的替代也只是改變了貨
幣的形態,並不意味著已經加快了貨幣流通速度.此外,由於人們持有電子貨幣還可以給
持有者帶來各種便利,如支付便利,儲藏便利和投機便利等,並且這種持幣成本明顯低於
持有傳統的貨幣,因此,人們會選擇更多的持有電子貨幣.這樣,從總體上看就會增加人
們的持幣時間,使貨幣處於相對"靜止"狀態的時間增加,從而降低了貨幣流通速度;從
持幣結構來看,由於電子貨幣的高流動性及各貨幣層次之間相互轉化極為容易的特點,人
們要追求持有貨幣的高流動性也就沒有必要一定要持有自身流動性很高的貨幣,持有自身
流動性較弱但容易轉化為流動性較高的貨幣也同樣能滿足高流動性的要求,而電子貨幣恰
恰能滿足人們的這種持幣需求.另外,由於流動性較弱的金融資產往往能給持有者帶來較
高的收益,當持有高收益金融資產也不會影響持有貨幣的流動性時,人們沒有理由不做出
兩全其美的選擇.而這種持幣動機必然會使人們減少對高流動性的貨幣M1的持有量,同時
也會將高流動性的貨幣轉化為收益率較高的貨幣,從而導致貨幣總量中高流動性的貨幣減
少而流動性較低的貨幣量增加,亦即M1向M2轉化.因此,電子貨幣對傳統貨幣的取代從
持幣時間和持幣結構兩方面改變了人們的持幣動機,從而降低了貨幣流通速度.
10
從我國的實際情況來看,隨著電子貨幣的快速發展,它對現金和活期存款(M1)的替
代作用越來越明顯,由於我國電子貨幣的發展相對滯後,可以說尚處於初期階段,在這一
階段,電子貨幣對M1的替代作用要明顯強於M2,因此,電子貨幣對M1替代必然會直接減
少M1的總

④ 我是菜鳥暗黑里老手長用的像ACT1之類的字母什麼意思啊！

一共5關,ACT就是英文關卡的意思...
暗黑很多都是用簡寫的...哈哈,我以前剛玩也看的發木.
還是先看看那些對照表,是啥意思吧

數字
1（bus用語，安全）
2（bus用語，危險）
3bar/3BB（指act5 q5的三個野蠻人守護神）
3q（Thank you)
40/15（指40ed/15ias jewel或者40ed/15max damage jewel）
5小隊（殺baal途中，baal的5次召喚怪物）
7＋（漆甲，通常指塔拉夏的守護）
(X)S（X個孔，例如: 4s armor就是4孔盔甲）

A
acc（account/account Name 帳號）
alvl（affix level詞綴等級）
ama/amz/zon（Amazon 亞瑪遜女戰士）
amu（amulet 項鏈）
ar（attact rating 攻擊准確率）
asn（Assassin 刺客）
as（attack speed 攻擊速度）
atk（attack 攻擊，有時也指攻擊力）
act(1-5)（如：act2 第2幕游戲場景）
ap+（執政官鎧甲，通常白色的3孔 4孔的用來做rune word）
B
ban acc（官網GM封閉某些玩家的帳號，理由是他們在游戲中使用了一些官網禁止的外掛）
bar/barb（Barbarian 野蠻人）
bo（battle orders野蠻人的戰斗體制技能）
bbs（論壇）
Blizzard（暴雪娛樂公司）
Blz（女巫的暴風雪技能的簡稱）
block（chance of blocking 格擋機率）
BN（Battle.Net）
bot（robot的簡寫，通指各種自動機器人的游戲外掛）
Bow（弓類）
bowama（使用弓[bow]或十字弓[crossbow]類武器為主要攻擊手段的亞馬遜）
boots（靴類）
belt（腰帶）
bug（程序設計上的錯誤，漏洞等）
bus（游戲中帶新人快速過關的人）
C
cb（colossus blade/crushing blow 決定性打擊/charged bolt）
charm（護身符，放在物品欄中起作用）
char（character 角色）
coh（chain of honor 神符之語-榮耀之鏈）
cm（cold matery,女巫的冰系掌握技能）
cr(cold resistance 抗寒)
cow（牛，KC=kill cow 殺牛的意思）
Crossbow（十字弓）
cs（critical strike 雙倍打擊/colossus sword/critical shot/cobra strike）
CtA （110新神符之語，Call to Arms，戰爭召喚）
cube（the Horadric Cube 赫拉迪克方塊，常用作動詞指用cube轉化或者合成物品的行為）
D
d2（diablo2 暗黑破壞神2）
dam/dmg（damage 傷害力）
DC（diablo-clone 超級DIABLO/dragon claw，此boss掉暗金色小護身符）
def（defence 防禦力/防禦率）
dex（dexterity 敏捷值）
down（通常指伺服器當機）
dru（Druid 德魯伊）
r（rability，耐久度）
dr（damage rece 減輕物理傷害， 俗稱物免）
ds（deadly strike 致命一擊/地上）
al/al leech（雙吸，既能吸mana又能吸life的裝備）
E
ed（enhanced damage 增強傷害/enhanced defense 增強防禦力）
en/ene/eng（energy 精力值）
eth（通常指不能修復的裝備）
exp（experience 經驗值）
F
faster run/walk（加快奔跑/行走速度）
fcr（faster cast rate 加快施法速度）
fdr（faster block rate 加快盾牌格擋後的恢復速度）
fd（fire damage 火傷害）
fr(fire resistance抗火)
fhr（faster hit recovery 加快受攻擊之後的恢復速度）
fe（fire enhanched 火焰強化）
frw（faster run/walk）
G
gc（grand charm 超大型護身符）
gm（game master）
H
HC（hardcore 專家模式，死了就不能復活）
hell（指地獄難度）
HP（hit points 血，生命值）
I
ias（increased attack speed 加快攻擊速度）
IK（Immortal King 不朽之王，野蠻人精華套裝的簡稱）
ire（通常指Skullder's Ire Russet Armor，skill+1的mf盔甲）
ist（24號神符， 著名的mf神符，1.10戰網標准流通貨幣）
itd（ignore target's defence 無視目標防禦力）
ith（某種利用hack工具製造的Bug物品，多為武器，具有極為變態的傷害值及屬性）
J
jew/jw（jewel 珠寶）
jp（極品:該物品的屬性都達到理論上的最值）
js（jian shang 奸商）
K
k（kill 殺，km/kb/kd/kp 指mf各boss）
K3C（K瘸子,殺崔凡克的3個金怪議員）
KP（進ACT5安亞旁邊的紅門殺裡面的金怪--暴皮）
K3BB（殺3個遠古人,進世界之石殺巴而前一定要完成的任務 資料片等級限制是20/40/60,不夠級不能完成）
kb（knock back 擊退，最近流行翻譯為殺巴爾前5小隊怪升級）
key（40級沒PASS PT的人物 殺了3BB,沒殺巴爾）
L
lc（large charm 大型護身符）
ld（lighting damage 電傷害）
lr（lightning resistance 電系抵抗）
LL（leech life 通常指有吸血屬性的裝備 ）
lm（leech mana 通常指有吸魔屬性的裝備）
leg（D2中指維特之腿，開cow level的必須品）
le（lightning enhanched 閃電強化）
lv/lev/lvl（level 等級）
M
mdr（magic damage rece 減輕魔法傷害）
md（magic damage 魔法傷害）
mana（法力值）
max（最大；加滿）
wmj/wmd/wmk（物免甲/物免盾/物免盔）
mfsc（帶mf值的小型護符，一般指7% mf的）
mf（magic find 獲得魔法物品機會）
min（最小）
mod（屬性）
mp（mana points 魔力值）
mr（magic resistance 魔法抵抗）
mp+（法師鎧甲 白色15ed無孔3孔有用）
N
n（name 通常指游戲房間名）
nec/necro（Necromancer 男巫）
newbie（新手，新手）
nor（normal 普通難度）
npc（non player character 非玩家角色/也可以指把裝備賣給npc的動作）
nova（女巫的閃電環技能，又稱新星）
O
oak （oak sage 德魯伊的橡木智者精靈）
omg（oh my god 天啊）
orb（球類，通常指 sor專屬武器眼球或翻譯成sor的冰封球技能）
P
pal/pala/pally（Paladin 聖武士，聖騎士）
pd（poison damage 毒素傷害）
pdsc（增加毒傷害的小型護符，lr pker的最愛，如無特別說明，一般指100毒傷害的小護符）
pg（perfect gems 完美寶石，最高級寶石，包括完美骷髏）
ping（描述網速的一個值，PING越高責網速越慢）
pi（physical immune 物理免疫）
pk（玩家之間的戰斗）
plz（please 請）
pr（poison resistance毒抗）
pvc（player vs computer 玩家打電腦，過關等）
pvp（player vs player 玩家之間有規則的公平戰斗）
pw（password 密碼）
Q
qh（sor的強化技能，通常給低級char使用，提高傷害，加快練級速度）
R
rt（如題）
ring（戒指）
rob（搶，一般指朋友或者熟人之間互相要好裝備--不要對不熟悉或者非朋友要東西）
req（required/requirement 裝備的要求，str，dex，lv等）
res/resist（resistance 抗性，四防，通常有人說4R）
rp（ren pin 人品，運氣的意思）
rr（act4第2個任務敲石頭）
rune（神符的總稱）
rw（rune word 神符之語）
S
skill（技能）
sc（small charm 小護身符）
sd/std（standard 普通模式，相對於hardcord，ladder模式而言）
shako（通常指Harlequin Crest Shako，暗金軍帽）
slvl（skill level 技能等級）
soj（the Stone of Jordan Ring 喬丹之石）
sor/sorc（Sorceress 女巫）
stamina（耐力值）
sf（女巫的靜電場技能）
str（strength 力量值）
sa+（神聖盔甲）
T
tlx（塔拉夏，sor的綠色套裝）
tc（trade channel 交易頻道/怪物的財寶階層）
tp（teleport 女巫的傳送技能）
tp+（神符之語 謎團，有+1傳送技能）
th（土豪， 指擁有大量財產的人）
tt（Titan's Revenge-Ceremonial Javelin 泰坦的復仇-祭奠標槍）
U
UGC（吉黑得的運氣-超大型護身符）
uni（unique 暗金物品）
unid（unidentify 未鑒定）
USC（Annihilus-Small Charm毀滅-小護身符）
V
vit（vitality 活力值）
vf（very fast 非常快的攻擊速度）
W
wf（Windfroce Hydra Bow風之力-九頭蛇弓，1.09神器）
wp（waypoint 傳送點）
wt（戰爭之旅，通常用來MF穿的鞋子）
Y
y（yes 是的/why 為什麼）
Z
zealpal（使用熱誠技能為主要攻擊技能的聖騎士）

⑤ 常見網路安全攻擊有哪些

1、DoS和DDoS攻擊
DoS是Denial of
Service的簡稱，即拒絕服務。單一的DoS攻擊一般是採用一對一方式的，通過製造並發送大流量無用數據，造成通往被攻擊主機的網路擁塞，耗盡其服務資源，致使被攻擊主機無法正常和外界通信。
DDos全稱Distributed Denial of Service，分布式拒絕服務攻擊。攻擊者可以偽造IP 地址，間接地增加攻擊流量。通過偽造源 IP
地址，受害者會誤認為存在大量主機與其通信。黑客還會利用IP 協議的缺陷,對一個或多個目標進行攻擊,消耗網路帶寬及系統資源,使合法用戶無法得到正常服務。
2、MITM攻擊
中間人類型的網路攻擊是指網路安全漏洞，使得攻擊者有可能竊聽兩個人、兩個網路或計算機之間來回發送的數據信息。在MITM攻擊中，所涉及的兩方可能會覺得通信正常，但在消息到達目的地之前，中間人就非法修改或訪問了消息。
3、網路釣魚攻擊
網路釣魚是通過大量發送聲稱來自於銀行或其他知名機構的欺騙性垃圾郵件，意圖引誘收信人給出敏感信息的一種攻擊方式。
攻擊者可能會將自己偽裝成網路銀行、在線零售商和信用卡公司等可信的品牌，騙取用戶的私人信息。最常見的是向用戶發送鏈接，通過欺騙用戶下載病毒等惡意軟體，或提供私人信息來完成詐騙。在許多情況下，目標可能沒有意識到他們已被入侵，這使得攻擊者可以在沒有任何人懷疑惡意活動的情況下獲取同一組織中更多的相關信息。
在打開的電子郵件類型和單擊的鏈接時要格外留意電子郵件標題，檢查回復和返迴路徑的參數。不要點擊任何看起來可疑的東西，也不要在網上留下可以證明自己身份的任何資料，包括手機號碼、身份證號、銀行卡號碼等。
4、鯨魚網路釣魚攻擊
之所以如此命名，是因為它針對的是組織的大魚。通常包括最高管理層或其他負責組織的人，這些人掌握著企業或其運營的專有信息，更有可能為了買斷信息而支付贖金。
鯨魚網路釣魚攻擊可以通過採取相同的預防措施來避免攻擊，例如仔細檢查電子郵件及其隨附的附件和鏈接，留意可疑的目的地或參數。
5、魚叉式網路釣魚攻擊
魚叉式網路釣魚攻擊是指一種有針對性的網路釣魚攻擊，攻擊者花時間研究他們的預期目標，通過編寫與目標相關性極強的消息來完成攻擊。通常魚叉式網路釣魚攻擊使用電子郵件欺騙，電子郵件發送人可能是目標信任的人，例如社交網路中的個人、密友或商業夥伴，使得受害者難以發覺。
6、勒索軟體
勒索軟體是一種流行的木馬，通過騷擾、恐嚇甚至採用綁架用戶文件等方式，使用戶數據資產或計算資源無法正常使用，並以此為條件向用戶勒索錢財。這類用戶數據資產包括文檔、郵件、資料庫、源代碼、圖片、壓縮文件等多種文件。贖金形式包括真實貨幣、比特幣或其它虛擬貨幣。
7、密碼攻擊
密碼是大多數人訪問驗證的工具，因此找出目標的密碼對黑客來說非常具有吸引力。攻擊者可能試圖攔截網路傳輸，以獲取未經網路加密的密碼。他們通過引導用戶解決看似重要的問題來說服目標輸入密碼。
一些安全性較低的密碼很容易被攻擊者獲取，例如「1234567」。此外，攻擊者還經常使用暴力破解方法來猜測密碼，即使用有關個人或其職位的基本信息來嘗試猜測他們的密碼。例如，通過組合用戶的姓名、生日、周年紀念日或其他個人信息破譯密碼。
8、SQL注入攻擊
SQL注入攻擊是指後台資料庫操作時，如果拼接外部參數到SQL語句中，就可能導致欺騙伺服器執行惡意的SQL語句，造成數據泄露、刪庫、頁面篡改等嚴重後果。按變數類型分為：數字型、字元型;按HTTP提交方式分為：GET注入、POST注入、cookie注入;按注入方式可分為：報錯注入、盲注、堆疊注入等等。

⑥ 關於 暗黑破壞神 的

MF,意思是掉寶率.MF越高越容易掉出好的DD
除了神符之語外,只要把寶石/神符/珠寶鑲嵌在裝備上,那裝備都會帶有你鑲嵌DD的屬性.屬性允許累加.

神符之語合成要求
1.只能是白色(需打孔)黑色(帶孔)無形的,超強的白色黑色裝備.總之一個條件,不能帶有魔法屬性.蘭色,綠色.亮金/暗金都不行
2.合成神符之語必須對應相同孔數
3.神符放置必須按公式規定.相同的神符和相同的 順序.
4.AC5場景賣的裝備,雖說部分不帶魔法屬性,但屬於蘭色裝備.也不能合成
符文之語速查手冊

孔數 物品 符文 名稱
2 頭盔 9+12 學識
2 頭盔 4+3 天底
2 盔甲 4+17 煙塵
2 盔甲 7+5 隱密（潛行）
2 盔甲 23+3 審慎
2 盾牌 13+5 韻律
2 盾牌 5+17 燦爛
2 劍/斧/釘頭槌 3+1 鋼鐵
2 近戰武器 11+3 力量
2 手杖 14+16 白色
2 近戰武器 29+1 風
2 法杖 3+8 葉
2 遠距離武器 9+5 和風

3 頭盔 20+24+16 迪勒瑞姆
3 頭盔 4+12+6 光輝
3 頭盔 16+31+21 夢境
3 盔甲 31+6+30 迷
3 盔甲 19+22+21 幽暗
3 盔甲 15+17+19 獅心
3 盔甲 20+18+3 財富
3 盔甲 29+28+12 飛龍
3 盔甲 13+22+10 強制
3 盾牌 18+18+23 聖堂
3 盾牌 8+9+7 遠古誓言
3 盾牌 29+28+12 飛龍
3 盾牌 16+31+21 夢境
3 爪類 19+27+22 混沌
3 棍棒/鐵槌/釘頭槌 10+16+4 黑色
3 近戰武器 31+25+5 狂暴
3 劍/權杖 11+8+10 國王之恩典
3 近戰武器 6+1+5 怨恨
3 遠距離攻擊武器 13+18+4 優雅旋律
3 武器 3+14+23 毒液
3 遠程武器 3+7+11 邊緣
3 劍/榔頭/權杖 11+20+18 執法者
3 斧子/劍/長棍 13+22+3 新月

4 盔甲 14+22+30+24 榮耀之鏈
4 盔甲 8+27+29+5 荊棘
4 盔甲 13+22+21+17 石塊
4 盔甲 1+12+14+28 剛毅
4 盾 7+10+9+11 精神
4 盾 26+26+28+31 鳳凰
4 游俠盾牌 26+27+24+14 流亡
4 斧子/棍棒 19+27+9+31 飢荒
4 法杖/棍棒 18+26+21+10 橡樹之心
4 劍/斧子 23+22+25+19 弒君者
4 武器 29+32+11+28 正義之手
4 武器 14+9+2+20 熱情
4 權杖 5+8+9+7 聖雷
4 法杖 17+16+12+5 回憶
4 武器 1+12+14+28 剛毅
4 遠程武器 27+31+20+2 信心
4 遠程武器 3+6+12+18 和諧
4 遠程武器 11+13+31+28 冰凍
4 長柄武器 30+23+30+24 無限
4 長柄武器/法杖 8+3+7+12 眼光
4 劍/斧/木棒 13+21+23+17 誓約
4 武器 26+26+28+31 鳳凰
4 長柄武器 32+29+16+28 驕傲
4 長柄武器/權杖 15+18+20+25 裂逢
4 劍 7+10+9+11 精神
4 劍/木棍 20+18+1+2 思考之聲
4 遠程武器 21+17+30+23 憤怒
4 遠程武器 31+28+23+25 品牌

5 武器 11+8+23+24+27 武裝號召
5 斧子/棍棒/榔頭 15+27+22+28+32 末日
5 近戰武器 11+30+24+12+29 永恆
5 斧子/棍棒/榔頭 30+3+22+23+17 野獸
5 近戰武器 11+1+6+3+12 榮耀
5 劍/斧 15+1+26+9+25 死神
5 長柄武器/劍 26+28+30+31+18 毀滅
5 劍/斧 5+3+28+23+8 悔恨
5 長柄武器 15+18+10+5+19 遵從

6 遠程武器 26+15+1+2+33+5 死亡呼吸
6 近戰武器 26+15+1+2+33+5 死亡呼吸
6 遠程武器 14+2+15+24+3+26寂靜
6 近戰武器 14+2+15+24+3+26寂靜
6 劍/榔頭/斧 31+23+31+29+31+30最後希望

有部分神符只能在戰網使用.單機使用的話必須下神符之語補丁.網上很多的.

⑦ 國內集成電路行業，目前的情況怎麼樣前景如何

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日
中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展
關鍵詞：中國集成電路現狀
集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路製造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。
一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高於同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，佔中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口佔到70%左右， 人民幣升值對於以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年裡，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：
圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況
圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布後的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以後， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機後又向經濟實體部門擴散，從2008
年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發後，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。
圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益於產業環境的改善， 抵禦金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關於企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把「建立自主可控的集成 電路產業體系」作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出「加大投入，集中力量實施集成電路升級」。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 並安排了16個國家重大專項，其中把「核心電子器件、高端通用晶元及基礎軟體 產品」與「超大規模集成電路製造裝備及成套工藝」列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議並原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品製造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，並成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷並出現了負增長的2008年，
求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品製造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。
圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、製造和封裝測試業三業並舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和晶元製造業的加速發展， 設計業和晶元製造業所佔比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨於合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。晶元製造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、晶元製造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別佔全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨於合理， 設計業和晶元製造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、晶元 製造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別佔全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多
晶元封裝）等先進封裝技術開發成功並投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸矽片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。
但是2008年，國內集成電路設計、晶元製造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中晶元製造業最明顯，全年晶元製造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要晶元製造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由於重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵禦了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高於國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。
圖5 2008年中國集成電路產業基本結構
六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 製造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產
方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小於等於 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代製造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出台，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，佔全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！
附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網路） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出「向科學進軍」，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接 觸二極體和三極體（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的「兩霸」。 1968 年，上海無線電十四廠首家製成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研製成功 NMOS 電路。之
後，又研製成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研製成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單台設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最後只有北京 878 廠，航天部陝西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976 年 11 月，中國科學院計算所研製成功 1000 萬次大型電子計算機，所 使用的電路為中國科學院 109 廠（現中科院微電子中心）研製的 ECL 型（發射極 耦合邏輯）電路。 1982 年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產線建成驗收投產， 這是中國第一次從國外引進集成電路技術。 1982 年 10 月，國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導，成立 了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」， 制定了中 國 IC 發展規劃，提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1983 年，針對當時多頭引進，重復布點的情況，國務院大規模集成電路領 導小組提出「治散治亂」， 集成電路要「建立南北兩個基地和一個點」的發展戰 略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一 個點指西安，主要為航天配套。 1986 年，電子部廈門集成電路發展戰略研討會，提出「七五」期間我國集 成電路技術「531」發展戰略，即普及推廣 5 微米技術，開發 3 微米技術，進行 1 微米技術科技攻關。 1989 年 2 月，機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會，提出 了「加快基地建設，形成規模生產，注重發展專用電路，加強科研和支持條件， 振興集成電路產業」的發展戰略。 1989 年 8 月 8 日， 廠和永川半導體研究所無錫分所合並成立了中國華晶 742 電子集團公司。 1990 年 10 月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談 會，並向黨中央進行了匯報，決定實施九 O 八工程。 1995 年，電子部提出「九五」集成電路發展戰略：以市場為導向，以 CAD 為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工 程和技術創新能力的建設，促進集成電路產業進入良性循環。 1995 年 10 月，電子部和國家外專局在北京聯合召開國內外專家座談會，獻 計獻策，加速我國集成電路產業發展。11 月，電子部向國務院做了專題匯報， 確定實施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建的上海華虹 NEC 電子有限公司組建，總投資為 12 億美元，注冊資金 7 億美元，華虹 NEC 主要承 擔「九 0 九」工程超大規模集成電路晶元生產線項目建設。 1998 年 1 月 18 日，「九 0 八」 主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這 條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產線已經具備了月投 6000 片 6 英寸圓片 的生產能力。 1998 年 1 月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓 2000 系 統，這是我國自主開發的一套 EDA 系統，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要， 可處理規模達百萬門級，支持高層次設計。 1998 年 2 月 28 日，我國第一條 8 英寸硅單晶拋光片生產線建成投產，這個
項目是在北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心進行的。 1998 年 4 月，集成電路「九 0 八」工程九個產品設計開發中心項目驗收授 牌，這九個設計中心為信息產業部電子第十五研究所、信息產業部電子第五下四 研究所、上海集成電路設計公司、深圳先科設計中心、杭州東方設計中心、廣東 專用電路設計中心、兵器第二一四研究所、北京機械工業自動化研究所和航天工 業 771 研究所。這些設計中心是與華晶六英寸生產線項目配套建設的。 1998 年 3 月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發 的我國第一個-CMOS 微型彩色攝像晶元開發成功，我國視覺晶元設計開發工作取 得的一項可喜的成績。 1999 年 2 月 23 日，上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術檔次 從計劃中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主導產品 64M 同步動態存儲器（S－ DRAM） 這條生產線的建-成投產標志著我國從此有了自己的深亞微米超大規模集 。 成電路晶元生產線。 2000 年 7 月 11 日，國務院頒布了《鼓勵軟體產業和集成電路產業發展的若 干政策》 隨後科技部依次批准了上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 個國家級 IC 設計產業化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直徑 8 英寸硅單晶拋光片國家高技術產業化示範工程項 目在北京有色金屬研究總院建成投產；3 月 28 日，國務院第 36 次常務會議通過 了《集成電路布圖設計保護條例》 。 2002 年 9 月 28 日，龍芯 1 號在中科院計算所誕生。同年 11 月，中國電子 科技集團公司第四十六研究所率先研製成功直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶， 實現 了我國直徑 6 英寸半絕緣砷化鎵單晶研製零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內 IC 設計 第一股。 2006 年中星微電子在美國納斯達克上市。隨即珠海炬力也成功上市。 2007 年展訊通信在美國納斯達克上市。 2008 年《集成電路產業「十一五」專項規劃》重點建設北京、天津、上海、 蘇州、寧波等國家集成電路產業園。

⑧ 怎樣打特殊符號大全 花樣

1、帶圈數字元號如果輸入①—⑩的帶圈數字元號，我們一般的做法是利用軟鍵盤的「數字序號」輸入，如果輸入11—20的帶圈數字，我們的做法是先輸入數字，然後選中，再利用「工具→中文版式→帶圈文字」就可以了。這里告訴大家不用切換，也不用工具的快捷輸入方法，即Unicode字元。如果①，先輸入2460，然後按Alt+X,剛才輸入的2460就變成了①。1—20的帶圈數字輸入對照表：1 2 3 4 5 6 7 8 9 102460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 246911 12 13 14 15 16 17 18 19 20246a 246b 246c 246d 246e 246f 2470 2471 2472 2473 word:特殊符號巧輸入2、貨幣符號和商標符號⑴快捷輸入法人民幣符號￥：在中文輸入法狀態下，按Shift+4；美元符號$：在英文狀態下，按Shift+4；歐元符號:Ctrl+Alt+E；商標符號 ?：Ctrl+Alt+T注冊符號

⑨ 以下簡寫字母在貿易報價中是什麼意思

你問的話額外難題好深奧啊，我只知道2個，其他2個根本沒有聽說過

ERS = EQUIP. REST. SURCH 空箱調運費

OPA外發加工措施,OVERWARD PROCESS ARANGEMENT 是指部分加工放在外面，但有部分加工在本地完成，則可領取本地的原產地證