串口TRX接反能連接上嗎
『壹』 如何在液晶電視主板上找到TRX
主板TX.RX都會集成到某個埠。豎肆罩
有的是故障,有的是雹桐串口關閉了。現在的主板TX.RX都會集成到某個埠,HDMI.USB3.0或者其他自定義埠,主板反面都會留檢測點,只是有些余鬧沒做標記。
『貳』 求專業性術語越多越好!!譬如LCD是什麼啊之類的
A/D:模數轉換。
AC:交流。
ADDRESS:地址線。
AF:音頻。
AFC:自動頻率控制,控制基準頻率時鍾電路。在GSM手機電路中,只要看到AFC字樣,則馬上可以斷定該信號線所控制的是13MHz電路。該信號不正常則可能導致手機不能進入服務狀態,嚴重的導致手機不開機。有些手機的AFC標注為VCXOCONT。
AGC:自動增益控制。該信號通常出現在接收機電路的低雜訊放大器,被用來控制接收機前端放大器在不同強度信號時給後級電路提供一個比較穩定的信號。
ALERT:告警。屬於接收音頻電路,被用來提示用戶有電話進入或操作錯誤。
ALRT:鈴聲電路。
AMP:放大器。常用於手機的電路框圖中。
AMPS:先進的行動電話系統。
ANT:天線。用來將高頻電磁波轉化為高頻電流或將高頻信號電流轉化為高頻電磁波。在電路原理圖中,找到ANT,就可以很方便地找到天線及天線電路。
ANTSW:開線開關控制信號。
AOC:自動功率控制。通常出現在手機發射機的功率放大器部分(以摩托羅拉手機比較常用)。
AOC-DRIVE:自動功率控制參考電平。
ASIC:專用應用集成電路。在手機電路中,它通常包含多個功能電路,提供許多介面,主要完成手機的各種控制。
AUC:鑒權中心。
AUDIO:音頻。
AUX:輔助。
AVCC:音頻供電。
BACKLIGHT;背光。
BALUN:平衡/不平衡轉換。
BAND:頻段。
BAND-SELECT:頻段選擇。只出現在雙頻手機或三頻手機電路中。該信號控制手機的頻段切換。
BASEBAND:基帶信號。
B+:電源。
BATT:電池電壓。
BAND:頻段。
BCH:廣播信道。
BDR:接收數據信號。
BDX:發射數據信號。
BKLT-EN:背景燈控制。
BIAS:偏壓。常出現在諾基亞手機電路中,被用來控制功率放大器或其他相應的電路。
BOOT:屏蔽罩。
BRIGHT:發光。
BS:基站。
BSC:基站控制器。
BSEL:頻段切換。
BTS:基站收發器。
BSI:電池尺寸。在諾基亞的許多手機中,若該信號不正常,會導致手機不開機。
BUFFER:緩沖放大器。常出現在VCO電路的輸出端。
BUS:通信匯流排。
BUZZ:蜂鳴器。出現在鈴聲電路。
BW:帶寬。
CARD:卡。
CDMA:碼分多址。多址接人技術的一種,CDMA通信系統容量比GSM更大,其微蜂窩更小,CDMA手機所需的電源消耗更小,所以CDMA手機待機時間更長。
CELL:小區。
CELLULAR:蜂窩。
CH:信道。
CHECK:檢查。
CHARG+:充電正電源。
CHARG-:充電電源負端。
CLK:時鍾。CLK出現在不同的地方起的作用不同。.若在邏輯電路,則它與手機的開機有很大的關系;都在SIM卡電路,則可能導致SIM卡故障。
CLONE.復制。
CMOS:金金屬氧化物半導體。
CODEC:編解碼器。主要出現在音頻編解碼電路。
COL:列地址線。出現在手機的按鍵電路。
COM:串口。
CONNECTOR:連接器。
CONTACTSEVICER:聯系服務商。
CORD:代碼。
COUPLING:耦合。
COVER:覆蓋。
CP:表示鑒相器的輸出端。
CP-RX:RXVCO控制信號輸出。
CP-TX:發射VCO控制輸出端。
CPU:中央處理器。在手機的邏輯電路,完成手機的多種控制。
CRYSTAL:晶振。
CS:片選。
n/A:數模轉換。
DATA:數據DAT。
DB.數據匯流排。
DC:直流。
DCIN:外接電源輸入。
DCON:直流接通。
DCS:數字通信系統。工作頻段在1800MHz頻段。該系統的使用頻率比GSM更高,也是數字通信系統的一種,它是GSM的衍生物。DCS的很多技術與GSM一樣。
DCS-SEL:DCS頻段選擇信號。
DCSPA:功率放大器輸出的DCS信號。
DCSRX:DCS射頻接收信號。
DEMOD:解調。
DET:檢測。
DGND:數字地。
DIGITAL:數字。
DIODE.二極體。
DISPLAY:顯示。
DM-CS:片選信號。摩托羅拉手機專用,該信號用來控制發射機電路中的MODEM、發射變換模塊及發射
VCO電路。
DP-EN:顯示電路啟動控制。
DSP:數字語音處理器。在邏輯音頻電路,它將進行PCM編碼後的數碼話音信號進一步處理。
D-TX-VCO:DCS發射VCO切換控制。
DTMS:到數據信號。
DFMS:來數據信號。
DUPLEX:雙工器。它包含接收與發射射頻濾波器,處於天線與射頻電路之間。
DYNATRON:晶體管。
EAR:聽筒。又被稱為受話器、喇叭、揚聲器。它所接的是接收音頻電路。
EEPROM:電可擦只讀存儲器。在手機中用來存儲手機運行的軟體。如它損壞,會導致手機不開機、軟體故障等。
EL:發光。
EN(ENAB):使能。
EXT:外接。
ERASABLE:可擦寫的。
ETACS:增強的全接人通信系統。
FACCH:快速隨路控制信道。
FDDEBACK:反饋。
FDMA:頻分多址。
FH:跳頻。
FM.調頻。
FILTER:濾波器,有時用FL表示。濾波器有射頻濾波器、中頻濾波器;高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器、帶阻濾波器等之分。按材料,又有陶瓷濾波器、晶體濾波器等。
FLASH:一種存儲器的名,在手機電路中用來存儲字型檔等。
GAIN:增益。
GCAP:電源IC。
GCAP-CLK:CPU輸出到電源模塊的時鍾(用於摩托羅拉手機)。
GCLK:32.768kHz,輸出到CPU的時鍾信號。
GIF-SYN:雙工中頻。
GND:地址線。在手機機板上,大片的銅箔都是地。
GREEN:綠色。
GSM:全球數字通信系統。最早被稱為泛歐通信系統,由於後來使用該技術標準的國家與地區越來越多,被稱為全球通。
GSM-SEL:GSM頻段切換信號。
GSMPA:功率放大器輸出的GSM信號。
GSMRX:GSM射頻接收信號。
GMSK:高斯最小移頻鍵控。一種數字調制方法,900MHz及1800MHz系統都使用這種調制方式。
G-TX-VCO:GSM發射VCO切換控制。
HARDWARE:硬體。
HEAD-INT:耳機中斷請求信號。
HOOK:外接免提狀態。
HRF:高通濾波器。
FO:輸入輸出埠。
IF:中頻。中頻有接收中頻RXIF,有發射中頻TXIF。中頻都是固定不變的。接收中頻來自接收機電路中的混頻器,要到解調器去還原出接收數據信號;發射中頻來自發射中頻VCO,被用於發射UQ調制器作載波。在接收機,第二中頻頻率總是比第一中頻頻率低。
IFVCCO:中頻VCO。用於接收機的第二混頻器或發射機的I/Q調制器。與後面的VHFVCO作用一樣,只要看到IFVCO或VHFVCO,就可以斷定這種手機的接收機是超外差二次變頻接收機,有兩個中頻。
IFLO:中頻本振。
IF-IN中頻輸入。
IFTUNE:中頻VCO控制信號。
IF-VCC中頻電路供電,有些手機也用SW-VCC表示。
IC:集成電路。
ICTRL:供電電流大小控制
IMEI:國際移動設備代碼。該號碼是唯一的,作為手機的識別碼。
IN:輸入。
INSERTCARD:插卡。
INDUCTANCE:電感。
INFRAREDRAY:紅外線。
IP/QR:RXI/Q信號。
ISDN:綜合業務數字網。
KBC:按鍵列地址線。
KEY:鍵。
KEYBOARD:鍵盤。
KBLIGHTS:鍵盤背景燈控制。
LAC:位置區號。
LAL:位置區域識別碼。
LCD:液晶顯示器。用來顯示一些手機信息。目前手機所使用的LCD基本上都是圖形化的LCD,可以顯示圖形。
LED:發光二極體顯示器。早期的手機通常使用LED顯示,特別是摩托羅拉手機。LED顯示器耗電,且不能顯示圖形,在手機電路中,已被LCD替代。
LEV:電平。
LI:鋰。
LNA:低雜訊放大器。接收機的第一級放大器,用來對手機接收到的微弱信號放大。若該電路出現故障,手機會出現接收差或手機不上網的故障。
LNA-G:GSM低雜訊放大器。
LNA-275:常用於摩托羅拉手機中,表示2.75V低雜訊放大器電源。
IDGIC:邏輯。 』
LOOPFLITER:環路濾波器。
LO:本機振盪器。
LOCKED:鎖機。
LPF:低通濾波器。多出現在頻率合成環路。它濾除鑒相器輸出中的高頻成分,防止這個高頻成分干擾VCO的工作。
MAINCLK(MCLK):表示13MHz時鍾,用於摩托羅拉手機。也有使用MAGIC-13MHz的,諾基亞手機常採用RFC表示這個信號,愛立信手機常採用MCLK表示,松下手機採用13MHzCLK表示。
MDM:調制解調。
MEMORY:存儲器。
MENU:菜單。
MF:陶瓷濾波器。
MIC:送話器、咪、微音器、拾音器、話筒。是一個聲電轉換器件,它將話音信號轉化為模擬的電信號。
MIX:混頻器。在手機電路中,通常是指接收機的混頻器。混頻器是超外差接收機的核心部件,它將接收到的高頻信號變換成為頻率比較低的中頻信號。
MIX-275:一般用於摩托羅拉手機中,表示2.75V混頻器電源。有些手機的混頻器電源用VCCMIX表示。
MIXOUT:混頻器輸出。
MOBILE:移動。
MOD:調制。
MODIP:調制工信號正。
MODIN:調制工信號負。
MODQP:調制Q信號正。
MODQN:調制Q信號負。
MODEM:數據機。摩托羅拉手機使用,是邏輯射頻介面電路。它提供AFC、AOC及GMSK調制解調等。
MS:移動台。
MSC:移動交換中心。
MSIN:移動台識別碼。
MSRN:漫遊。
MUTE:靜音。
NAM:號碼分配模塊。
NC:空,不接。
NEG:負壓。
NI-H:鎳氫。
NI-G:鎳鎘。
NONETWORK:無網路。
OFSET:偏置。
OMC:操作維護中心。
ONSRQ:免提開關控制。
ONSWAN:開機觸發信號。
ON/OFF:開關機控制。
OSC:振盪器。振盪器將直流信號轉化為交流信號供相應的電路使用。
OUT:輸出。
PA:功率放大器,在發射機的未級電路。
PAC:功率控制。
PA-ON:功率啟動控制
PCB:印刷電路板。手機電路中使用的都是多層板。
PCH:尋呼信道。
PCM:脈沖編碼調制。
PCMDCLK:脈沖編碼時鍾。
PCMRXDATA:脈沖編碼接收數據。
PCMSCLK:脈沖編碼取樣時鍾。
PCMTXDATA:脈沖編碼發送數據。
PCN:個人通信網路。數字通信系統的一種,不過其稱謂還不大統一,在一些書上有叫PCS。在諾基亞手機中,1800M系統常被標注為PCN,其它手機則標注為DCS。
PCS:個人通信系統。
PD:鑒相器。通常用在鎖相環中,是一個信號相位比較器,它將信號相位的變化轉化為電壓的變化,我們把這個電壓信號稱為相差電信號。頻率合成器中PD的輸出就是VCO的控制信號。
PDATA:並行數據。
PHASE:相位。
PIN:個人識別碼。
PLL:鎖相環。常用於控制及頻率合成電路。
PM:調相。
POWCONTROL:功率控制。
POWLEV:功率級別。
POWRSRC.供電選擇。
POWER:電源。
PURX:復位。常見於諾基亞手機電路。
PUK:開鎖密碼。
PWM:脈沖寬度調制,被用來進行充電控制。常見於諾基亞手機的充電控制電路。
PWRLEV:功率控制參考電平。
PWR-SW:開機信號。
RAM:隨機存儲器。
RD:讀。
R/W:讀寫。
RED:紅色。
REF:參考。
RESET:復位。
RETC-BATT:實時時鍾電源。
RF:射頻。
RF-V1:頻率合成器電源(用於摩托羅拉V系列手機)。
RF-V2:射頻電源(用於摩托羅拉V系列電源)。
RFLO:射頻本振。
RFC:邏輯時鍾。常見於諾基亞手機。
RFI:邏輯射頻介面電路,常見於諾基亞手機電路。
RFVCO.射頻VCO,用於接收機第一混頻器及發射機電路,常見於三星手機電路中。
ROW:行地址。出現在手機按鍵電路中。
RSSI:接收信號強度指示。
RST:復位。
RTC:實時時鍾控制。
RX:接收。
RXACQ:接收傳輸請求信號。
RXEN:接收使能(啟動)。在手機待機狀態下(即手機開機,但不進行通話),該信號是一個符合TDMA規則的脈沖信號。若邏輯電路無此信號輸出,手機接收機不能正常工作。
RXI/Q:接收解調信號。在待機狀態下,用示波器也可測到此信號,若手機無此信號,手機不能上網。
RXIFP:接收中頻信號正。
RXWN:接收中頻信號負。
RXON.接收啟動,見RXEN
RXPWR:接收電源控制。常見於諾基亞手機電路。
RXVCO:接收VCO,一般表示一本振VCO,用於接收機第一混頻器。
RXVCO-250:2.5VVCO電源。
SAMPLE:取樣。常出現在VCO的輸出端及功率放大器的輸出端。
SAT:飽和度。
SAW:聲表面濾波器。
SCH:同步信道。
SDTA:串列數據。
SENSE:感應。
SF:超級濾波器。
SF-OUT:超線性濾波電壓。摩托羅拉手機專用,是一個穩壓電源輸出,給VCO供電。
SIM:用戶識別碼。
SIMDAT:SIM卡數據。
SIMCLK:SIM卡時鍾,為3.25MHz。
SIMPWR(SIMVCC):SIM卡電源或是SIM卡電源控制。
SIMRST:SIM卡復位。
SIMDET:SIM檢測。
SLEEPCLK:睡眠時鍾。常見於諾基亞手機,若該信號不正常,手機不能開機。
SMOC:數據機。
SOUND:聲音。
SPEAKER:受話器、聽筒。參見EAR。
SPI:外接串列介面。摩托羅拉手機電路專有名詞。
SPICLK:串列介面時鍾。
SPIDAT:串列介面數據。
SPK:受話器、聽筒。參見EAR。
SRAM:靜態隨機存儲器。
STDBY:待機。
SW:開關。
SWDC:未調整電壓。
SW-RF:射頻開關。
SYN:合成器。
SYN2.8V:頻率合成器2.8V電源。
SYNSTR:頻率合成器啟動。
SYNCLK:頻率合成時鍾。
SYNDAT:頻率合成數據。
SYNEN:頻率合成使能。
SYNON:頻率合成啟動。
SYNTHPWR:頻率合成電源控制。
TACS:全接人移動通信系統。
TCH:話音通道。
TDMA:時分多址。一種多址接人技術,以不同的時間段來區分用戶。
TEMP:電池溫度檢測端。
TEST:測試。
TP:測試點。
TRX:收發信機。
TX:發信。
TX-KEY-OUT:發射時序控制輸出。
TXGSM:TXVCO輸出的GSM信號。
TXDCS:TXVCO輸出的DCS信號。
TXC:發信控制。
TXIF:發射中頻。
TXEN:發射使能、啟動。當該信號有效時,發射機電路開始工作。
TXVCO:發射壓控振盪器。
TXVCOOFF:發射VCO啟動控制信號。
TXI/Q:發送數據。
TXON:發射啟動。參見TXEN
TXPWR:發射電源控制。見諾基亞手機。
TYPE:類型。
UHFVCO:射頻VCO,一般表示一本振VCO,同RXVCO、RFVCO。
UNREGISTERED:未注冊的。
UPDATE:升級。
VBATT:電池電壓。
VBOOST:升壓電源。
VCC:電源。
VCCMIX:混頻器電源。
VCTCXO:溫補壓控振盪器。
VCO:壓控振盪器。該電路將控制信號的變化轉化為頻率的變化,是鎖相環的核心器件。
VCXO:基準時鍾電源,有的手機用VXO等表示。
VCXOPWR:13MHz電路電源控制。諾基亞手機專有名詞。該信號線路故障會導致手機不開機。
VDD:正電源輸入。
VEE:負電源輸入。
VHFVCO,一般用來表示接收第二本振壓控振盪器,同IFVCO功能類似。
VIB-EN:振動器控制。
VHFVCO:用於手機的接收或發射中頻電路。
VLIM:過壓保護參考電壓。
VPP:峰值。
VREF:參考電壓。
VREG:調整電壓。
VRX:接收機電源。見諾基亞手機電路。
VSWITCH:開關電壓。
VSYN:頻率合成電源。
VTX:發射機電源,見諾基亞手機電路。
VTCXO:基準時鍾電源。
WATCHDOG:看門狗。
WD-CP:看門狗脈沖。
WR:寫。
WRONGSOFTWARE:軟體故障。
XVCC:射頻供電。
『叄』 哪裡能找到關於TD-SCDMA基站相關的詳細資料
關於TD-SCDMA基站相關的詳細資料
單片機系統的低功耗設計策略
作 者:清華大學 陳萌萌 邵貝貝
摘要:嵌入式系統的低功耗設計需要全面分析各方面因素,統籌規劃。在設計之初,各個因素往往是相互制約、相互影響的,一個降低系統功耗的措施有時會帶來其他方面的「負效應」。因此,降低系統整體功耗,需要仔細分析和計算。本文從硬體和應用軟體設計兩個方面,闡述一個以單片機為核心的嵌入式系統低功耗設計時所需考慮的一些問題。
關鍵詞:低功耗設計 硬體設計 應用軟體設計 低功耗模式
在嵌入式應用中,系統的功耗越來越受到人們的重視,這一點對於需要電池供電的攜帶型系統尤其明顯。降低系統功耗,延長電池的壽命,就是降低系統的運行成本。對於以單片機為核心的嵌入式應用,系統功耗的最小化需要從軟、硬體設計兩方面入手。
隨著越來越多的嵌入式應用使用了實時操作系統,如何在操作系統層面上降低系統功耗也成為一個值得關注的問題。限於篇幅,本文僅從硬體設計和應用軟體設計兩個方面討論。
1 硬體設計
選用具有低功耗特性的單片機可以大大降低系統功耗。可以從供電電壓、單片機內部結構設計、系統時鍾設計和低功耗模式等幾方面考察一款單片機的低功耗特性。
1.1 選用盡量簡單的CPU內核
在選擇CPU內核時切忌一味追求性能。8位機夠用,就沒有必要選用16位機,選擇的原則應該是「夠用就好」。現在單片機的運行速度越來越快,但性能的提升往往帶來功耗的增加。一個復雜的CPU集成度高、功能強,但片內晶體管多,總漏電流大,即使進入STOP狀態,漏電流也變得不可忽視;而簡單的CPU內核不僅功耗低,成本也低。
1.2 選擇低電壓供電的系統
降低單片機的供電電壓可以有效地降低其功耗。當前,單片機從與TTL兼容的5 V供電降低到3.3 V、3 V、2 V乃至1.8 V供電。供電電壓降下來,要歸功於半導體工藝的發展。從原來的3 μm工藝到現在的0.25、0.18、0.13 μm工藝, CMOS電路的門限電平閾值不斷降低。低電壓供電可以大大降低系統的工作電流,但是由於晶體管的尺寸不斷減小,管子的漏電流有增大的趨勢,這也是對降低功耗不利的一個方面。
目前,單片機系統的電源電壓仍以5 V為主,而過去5年中,3 V供電的單片機系統數量增加了1倍,2 V供電的系統也在不斷增加。再過五年,低電壓供電的單片機數量可能會超過5 V電壓供電的單片機。如此看來,供電電壓降低將是未來單片機發展的一個重要趨勢。
1.3 選擇帶有低功耗模式的系統
低功耗模式指的是系統的等待和停止模式。處於這類模式下的單片機功耗將大大小於運行模式下的功耗。過去傳統的單片機,在運行模式下有wait和stop兩條指令,可以使單片機進入等待或停止狀態,以達到省電的目的。
等待模式下,CPU停止工作,但系統時鍾並不停止,單片機的外圍I/O模塊也不停止工作;系統功耗一般降低有限,相當於工作模式的50%~70%。
停止模式下,系統時鍾也將停止,由外部事件中斷重新啟動時鍾系統時鍾,進而喚醒CPU繼續工作,CPU消耗電流可降到μA級。在停止模式下,CPU本身實際上已經不消耗什麼電流,要想進一步減小系統功耗,就要盡量將單片機的各個I/O模塊關掉。隨著I/O模塊的逐個關閉,系統的功耗越來越小,進入停止模式的深度也越來越深。進入深度停止模式無異於關機,這時的單片機耗電可以小於20 nA。其中特別要提示的是,片內RAM停止供電後,RAM中存儲的數據會丟失,也就是說,喚醒CPU後要重新對系統作初始化。因此在讓系統進入深度停止狀態前,要將重要系統參數保存在非易失性存儲器中,如EEPROM中。深度停止模式關掉了所有的I/O,可能的喚醒方式也很有限,一般只能是復位或IRQ中斷等。
保留的I/O模塊越多,系統允許的喚醒中斷源也就越多。單片機的功耗將根據保留喚醒方式的不同,降至1μA至幾十μA之間。例如,用戶可以保留外部鍵盤中斷,保留非同步串列口(SCI)接收數據中斷等來喚醒CPU。保留的喚醒方式越多,系統耗電也就會多一些。其他可能的喚醒方式還有實時鍾喚醒、看門狗喚醒等。停機狀態較淺的情況下,外部晶振電路還是工作的。
圖1以Freescale的HCS08單片機為例,給出不同運行模式下的系統功耗。HCS08是8位單片機,有多個系列,各系列I/O模塊數目有所不同,但低功耗模式下的電流消耗大致相同。
圖1HCS08單片機各模式下的耗電
以R系列單片機為例:在室溫(25℃)下,不包括I/O口的負載,以2 V供電,將可編程鎖相環時鍾設為16 MHz(匯流排時鍾8 MHz),典型電流值為2.6 mA,當溫度升高到85℃時,供電電流也升高到3.6 mA;而採用3 V供電,這一組數據升高至3.8 mA和4.8 mA。用2 V供電,直接使用外部晶振2 MHz(匯流排時鍾1 MHz)時,典型運行電流降至450 μA。在等待狀態下,因時鍾並沒有停止,耗電情況和時鍾頻率有很大關系,節省的功耗有限;而進入輕度停止(stop3),以外部中斷喚醒,電流消耗在0. 5 μA左右。在中度停止態(stop2),功耗可進一步降低。使用內部1 kHz的時鍾,保持1個運行的時鍾,周期性喚醒CPU,所增加的電流約為0.3 μA。在深度停止態(stop1),RAM的數據也不再保留,只能通過外部復位重啟系統,此時的電流消耗可降到20 nA。以上數據都是在室溫下測量所得。當環境溫度升高到85℃時,電流消耗可能增加3~5倍。
1.4選擇合適的時鍾方案
時鍾的選擇對於系統功耗相當敏感,設計者需要注意兩個方面的問題:
第一是系統匯流排頻率應當盡量低。單片機內部的總電流消耗可分為兩部分——運行電流和漏電流。理想的CMOS開關電路,在保持輸出狀態不變時,是不消耗功率的。例如,典型的CMOS反相器電路,如圖2所示,當輸入端為零時,輸出端為1,P晶體管導通,N晶體管截止,沒有電流流過。而實際上,由於N晶體管存在一定漏電流,且隨集成度提高,管基越薄,漏電流會加大。溫度升高,CMOS翻轉閾電壓會降低,而漏電流則隨環境溫度的增高變大。在單片機運行時,開關電路不斷由「1」變「0」、由「0」變「1」,消耗的功率是由單片機運行引起的,我們稱之為「運行電流」。如圖2所示,在兩只晶體管互相變換導通、截止狀態時,由於兩只管子的開關延遲時間不可能完全一致,在某一瞬間會有兩只管子同時導通的情況,此時電源到地之間會有一個瞬間較大的電流,這是單片機運行電流的主要來源。可以看出,運行電流幾乎是和單片機的時鍾頻率成正比的,因此盡量降低系統時鍾的運行頻率可以有效地降低系統功耗。
圖2典型的CMOS反相器
第二是時鍾方案,也就是是否使用鎖相環、使用外部晶振還是內部晶振等問題。新一代的單片機,如飛思卡爾的HCS08系列單片機,片內帶有內部晶振,可以直接作為時鍾源。使用片內晶振的優點是可以省掉片外晶振,降低系統的硬體成本;缺點是片內晶振的精度不高(誤差一般在25%左右,即使校準之後也可能有2%的相對誤差),而且會增加系統的功耗。
現代單片機普遍採用鎖相環技術,使單片機的時鍾頻率可由程序控制。鎖相環允許用戶在片外使用頻率較低的晶振,可以很大地減小板級雜訊;而且,由於時鍾頻率可由程序控制,系統時鍾可以在一個很寬的范圍內調整,匯流排頻率往往能升得很高。但是,使用鎖相環也會帶來額外的功率消耗。
單就時鍾方案來講,使用外部晶振且不使用鎖相環是功率消耗最小的一種。
2 應用軟體方面的考慮
之所以使用「應用軟體」的說法,是為了區分於「系統軟體」或者「實時操作系統」。軟體對於一個低功耗系統的重要性常常被人們忽略。一個重要的原因是,軟體上的缺陷並不像硬體那樣容易發現,同時也沒有一個嚴格的標准來判斷一個軟體的低功耗特性。盡管如此,設計者仍需盡量將應用的低功耗特性反映在軟體中,以避免那些「看不見」的功耗損失。
2.1 用「中斷」代替「查詢」
一個程序使用中斷方式還是查詢方式對於一些簡單的應用並不那麼重要,但在其低功耗特性上卻相去甚遠。使用中斷方式,CPU可以什麼都不做,甚至可以進入等待模式或停止模式;而查詢方式下,CPU必須不停地訪問I/O寄存器,這會帶來很多額外的功耗。
2.2 用「宏」代替「子程序」
程序員必須清楚,讀RAM會比讀Flash帶來更大的功耗。正是因為如此,低功耗性能突出的ARM在CPU設計上僅允許一次子程序調用。因為CPU進入子程序時,會首先將當前CPU寄存器推入堆棧(RAM),在離開時又將CPU寄存器彈出堆棧,這樣至少帶來兩次對RAM的操作。因此,程序員可以考慮用宏定義來代替子程序調用。對於程序員,調用一個子程序還是一個宏在程序寫法上並沒有什麼不同,但宏會在編譯時展開,CPU只是順序執行指令,避免了調用子程序。唯一的問題似乎是代碼量的增加。目前,單片機的片內Flash越來越大,對於一些不在乎程序代碼量大一些的應用,這種做法無疑會降低系統的功耗。
2.3 盡量減少CPU的運算量
減少CPU運算的工作可以從很多方面入手:將一些運算的結果預先算好,放在Flash中,用查表的方法替代實時的計算,減少CPU的運算工作量,可以有效地降低CPU的功耗(很多單片機都有快速有效的查表指令和定址方式,用以優化查表演算法);不可避免的實時計算,算到精度夠了就結束,避免「過度」的計算;盡量使用短的數據類型,例如,盡量使用字元型的8位數據替代16位的整型數據,盡量使用分數運算而避免浮點數運算等。
2.4 讓I/O模塊間歇運行
不用的I/O模塊或間歇使用的I/O模塊要及時關掉,以節省電能。RS232的驅動需要相當的功率,可以用單片機的一個I/O引腳來控制,在不需要通信時,將驅動關掉。不用的I/O引腳要設置成輸出或設置成輸入,用上拉電阻拉高。因為如果引腳沒有初始化,可能會增大單片機的漏電流。特別要注意有些簡單封裝的單片機沒有把個別I/O引腳引出來,對這些看不見的I/O引腳也不應忘記初始化。
3 結論
一個成功的低功耗設計應該是硬體設計和軟體設計的結合。從硬體設計開始,就應該充分意識到一個低功耗應用的特性,選擇一款合適的單片機,通過對其特性的了解,設計系統方案;在軟體設計上,要考慮到低功耗編程的特殊性,並盡量使用單片機的低功耗模式。
限於篇幅,僅僅討論了低功耗設計中的一些常見問題,更多的問題只能靠設計者去實際分析和解決了。
參考文獻
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3 Donnie Garcia, Scott Pape. MC9S08GB/GT Low�Power Modes. Freescale Semiconctor, Rev2. 2004
4 MC9S08GB/GT Data Sheet. Freescale Semiconctor, Rev.2.2, 2004
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7 Bill Lucas, Scott Pape. Configuring the System and Peripheral Clocks in the MC9S08GB/GT. Freescale Semiconctor, 2003
8 Scott Pape. S08 in Low Power Devices. Freescale Technology Forum, 2005
(收稿日期:2005-09-26)
2006.3.23 14:39作者:森
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LRE技術在數據通信組網中的應用
分類:技術文摘
http://www.ed-china.com/ART_8800014533_400010_500006_TS.HTM
LRE技術在數據通信組網中的應用
LRE技術簡介
長距離乙太網(LRE) 是Analogix自主創新的一項乙太網革新技術。該技術在保證傳輸速率的前提下,將傳統乙太網的最大傳輸距離由標準的100米提高到1000米 (10M)或者300米(100M)。ANX58xx系列晶元是Analogix推出的長距離乙太網PHY或者Converter,晶元全面兼容 IEEE802.3乙太網標准,可以作為常規的10Base-T,100Base-TX和100Base-FX的乙太網PHY使用;同時,晶元在完全兼容 IEEE802.3標准自協商協議的基礎上,擴充了長距離模式,使乙太網的傳輸距離突破了1000米,傳輸介質可適用於5類線、3類線、市話音頻電纜等。 LRE晶元與普通PHY相比,具有傳輸距離長,抗干擾能力強等明顯的優點,具有更廣泛的應用。本文將重點描述LRE技術在數據通信領域的各種應用。
LRE技術在「最後一公里」接入中的應用
寬頻用戶的迅猛發展,主要得益於乙太網技術的廣泛應用和網路設備成本的不斷降低,乙太網交換設備的應用已不僅僅局限在「區域網」,在「城域網」領域也得到規模應用。目前乙太網已經成為企事業用戶的主導接入方式,全球企事業用戶的80%以上都採用乙太網接入技術。在「最後一公里」接入技術中,乙太網技術通常應用在居民小區、高檔住宅樓和商業大廈,採用FTTx+LAN的接入方式,即將光纖建設到小區或大樓,再通過快速乙太網連接到用戶。用戶側的接入設備(如乙太網交換機,寬窄帶綜合接入設備等)一般位於小區或商業大樓內,向用戶提供業務介面,實現寬頻的接入。
在小區內或者商業區內,如何將光纖接入點與住宅和樓宇連接起來,是網路提供商非常關注的部分,因為這個區域的網路布局,布線拓撲結構,設備選型直接影響到整個網路運行的性能和成本以及項目的布線施工等。通常這個區域在網路規劃時是以接入點為中心,盡量將網路連接的距離設計到100米內,以減少網路中光纖互連的數量。重要原因是:傳統的銅線乙太網標准傳輸有一個最大距離限制100米。LRE技術可以大大延長這個距離,最大程度上取代小區或者商業區內之間互連的光纖,從而在大大降低了網路系統的投資和施工周期,為網路提供商提供性價比很高的組網方案。圖1主要說明了LRE在「最後一公里」接入中的應用。
據統計,95%的小區住宅樓之間或樓宇之間的網路互連距離在200米內,98%的樓道之間或樓宇單元之間的網路互連距離在100米之內。也就是說95%的小區住宅之間或樓宇之間的光纖可以由5類銅線替代。圖2是某小區接入的網路拓撲圖實例。圖中的連線和數字表示的是小區內住宅樓之間以及樓道之間的連接方式以及距離。紅線代表超過100米的5類線纜布線部分,採用4對5類雙絞線,白線代表100米內的5類線纜布線部分,採用25對5類雙絞線。綜合節約的設備成本,布線施工成本,整個項目節省總費用的30%以上。
LRE技術在樓宇寬頻接入中的應用
通常在商業樓宇中,乙太網接入是首選方式。對於比較高的樓宇,網路連接距離超過100米時,則必須使用Switch/Repeater等設備延長。LRE可以應用於類似布線的樓宇內,以減少多級Repeat,簡化網路結構,減少故障點,降低成本,同時大大提高網路的可靠性(圖3)。
LER技術在綜合接入中的應用
IAD (Integrated Access Device,綜合接入設備)在軟交換體系中位於接入層,其主要功能是將各種網路終端統一接入,能同時提供話音、數據、多媒體等多種業務的綜合接入功能。網路終端與IAD介面業務中,通常支持POTS,ISDN,DDN等窄帶業務和ADSL, VDSL,SHDSL,乙太網等寬頻業務。其中寬頻業務中乙太網接入雖然擁有介面通用,高寬頻等眾多優點,但由於銅線傳輸距離的約束,這種方式沒有像 xDSL等接入方式那樣廣泛地使用。LRE技術的採用,可以大大延長乙太網的傳輸距離,簡化網路結構,拓廣IAD接入的范圍。LRE技術可以極大地簡化綜合接入的布線,可以將PSTN等窄帶業務與乙太網寬頻業務捆綁在一起,只通過一根5類線,完成范圍在1000米范圍內的語音和10M帶寬的綜合接入。圖4 是LRE在綜合接入應用網路示意圖。
AT89C52的智能無線安防報警器
分類:技術文摘
http://www.yqxmcu.com/Html/mcukf/0621610505958549.htm
http://www.icwin.net/ShowArtitle.ASP?art_id=5080&cat_id=2
AT89C52的智能無線安防報警器
摘 要: 以MCS-51系列單片機AT89C52為核心,結合外圍無線編碼接收電路、DTMF發送接收電路、數字語音錄放電路、通話電路,以及其他的外圍輔助電路,構成了一款高性能的智能無線安防報警器。配合各種無線感測器,可實現防盜、防火等安防功能。它能智能地區分各種警情、自動數字語音電話報警,可接收遠端的電話遙控指令,有大功率繼電輸出口。
關鍵詞: 安防;報警器;AT89C52;電話報警
引言
現在安防報警系統越來越受到人們的重視,人們對報警器功能和性能方面的要求也越來越高。本文提出一種基於AT89C52的智能無線安防報警器:
·能與標準保安探頭進行無線連接,實現大范圍安防監控,並可隨意擴展。
·多防區功能。能夠區分各種警情,並能夠用語音播出警情類別。
·自動電話報警,向遠方用戶提供警情語音和現場聲響,並接收用戶指令進行相應操作。
·多功能自由切換,低誤報率,高可靠性。
·使用方便,有較高的性價比。
本報警器串接在外線和用戶的普通電話機中間。報警號碼的輸入、報警語音的錄制、無線感測器的錄入及其他主機參數的設定都是通過電話機完成,平時不影響電話機的工作,用戶用遙控器對主機進行布防或撤防。當主機接收到來自無線探頭發過來的編碼信號時,主機將編碼與原來存入的編碼進行對照,並查詢系統參數,決定是否報警和採取何種方式報警。它可以自動撥出用戶設置的報警電話,通過語音告知警情,用戶可監聽現場聲響,還可通過電話指令啟動警號和其他執行機構(如防煤氣泄露,可啟動排風扇),並決定主機進入布防還是撤防狀態。用戶還可以主動從異地打電話到主機,對主機布防或撤防。