BTC次周含義

『壹』 200分內存型號怎麼認的

EDO DRAM(Extended Data Output RAM)，擴展數據輸出內存，是Micron公司的專利技術，有72線和168線之分，5V電壓，帶寬32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM 是在傳統 FPRAM (Fast Page RAM) 中改進過來, 運作上主要系假定下一次的存取地址都是與上一次連續, 然後准備定資料 (這是假設用戶的資料多數是 sequential 的), 這樣便能把 memory throughput 由 FPRAM 的最高 176MB/s 提升到 EDO RAM 的最高 264MB/s, 於 1993 年後 EDO RAM 便開始取代 FPRAM 的位置

靜態隨機存取內存 (Static Random Access Memory, SRAM) 是半導體內存的一種, 屬隨機存取內存 (RAM) 一類。所謂的「靜態」, 是指這種內存只要保持通電, 裡面儲存的資訊就可以恆常保持。相對之下, 動態隨機存取內存（DRAM）裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而, 當電力供應停止時, 其內儲存的資料還是會消失, 這與在斷電後還能儲存資料的 ROM 或快閃記憶體仍然是不同的。

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態隨機存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM採用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50％。SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時，另一個就已為讀寫數據做好了准備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流內存，從430TX晶元組到845晶元組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。

DDR雙通道同步動態隨機存儲器（雙通道同步動態隨機存取內存）即DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為具有雙倍資料傳輸率之SDRAM，其資料傳輸速度為系統時脈之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

由於傳統SDRAM在運作時，一個單位時間內只能讀/寫一次，當同時需要讀取和寫入時，便要等其中一個動作完成才能繼續進行下一個動作。而DDR SDRAM則解決這項缺點，由於讀取和寫入可以在一個單位時間內進行，因此效能便會提升兩倍，這也便是為何DDR SDRAM的時脈要「自動乘以二」的緣故。
JEDEC為DDR存儲器設立了速度規范，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR-200: DDR-SDRAM 記憶晶元在100 MHz下運行
DDR-266: DDR-SDRAM 記憶晶元在133 MHz下運行
DDR-333: DDR-SDRAM 記憶晶元在166 MHz下運行
DDR-400: DDR-SDRAM 記憶晶元在200 MHz下運行(JEDEC制定的DDR最高規格)
DDR-500: DDR-SDRAM 記憶晶元在250 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-600: DDR-SDRAM 記憶晶元在300 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700: DDR-SDRAM 記憶晶元在350 MHz下運行(非JEDEC制定的DDR規格)
DDR-700的例子(產品):Patriot PDC1G5600ELK

[編輯] 規格 （晶元模塊）
PC-1600內存模塊指工作在100 MHz下的DDR-200內存晶元，其擁有1.600 MegaByte/s的帶寬
PC-2100內存模塊指工作在133 MHz下的DDR-266內存晶元，其擁有2.133 MegaByte/s的帶寬
PC-2700內存模塊指工作在166 MHz下的DDR-333內存晶元，其擁有2.667 MegaByte/s的帶寬
PC-3200內存模塊指工作在200 MHz下的DDR-400內存晶元，其擁有3.200 MegaByte/s的帶寬

DDR2第二代雙倍數據率同步動態隨機訪問內存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR2 SDRAM），是一種計算機內存規格。它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（雙倍數據率同步動態隨機訪問內存）的後繼者，也是現時流行的內存產品。

JEDEC為DDR存儲器設立了速度規，並分為了以下兩個部分：按內存晶元分類和按內存模塊分類。
規格（記憶晶元）
DDR2-400：DDR2-SDRAM 記憶片在200 MHz下運行
DDR2-533：DDR2-SDRAM 記憶晶元在266 MHz下運行
DDR2-667：DDR2-SDRAM 記憶晶元在333 MHz下運行
DDR2-800：DDR2-SDRAM 記憶晶元在400 MHz下運行
DDR2-1000：DDR2-SDRAM 記憶晶元在500 MHz下運行
DDR2-1066：DDR2-SDRAM 記憶晶元在533 MHz下運行
現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩定性。

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如採用1.8V標准電壓、主要採用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存採用0.11微米生產工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存採用了「Pseudo Open Drain」介面技術，只要電壓合適，顯示晶元可直接支持DDR3顯存。當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。客觀地說，DDR3相對於DDR2在技術上並無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優勢仍比較明顯：

(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控製成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少後，顯存功耗也能進一步降低。
(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器匯流排式動態隨機存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發的具有系統帶寬、晶元到晶元介面設計的內存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的匯流排傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持RDRAM的是英特爾820晶元組，後來又有840，850晶元組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由於其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。

『貳』 如何查看內存的型號

從PC100標准開始內存條上帶有SPD晶元，SPD晶元是內存條正面右側的一塊8管腳小晶元，裡面保存著內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當開機時，支持SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設置內存的存取時間。我們可以藉助SPDinfo這類工具軟體來查看SPD晶元中的信息，例如軟體中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測內存的技術規范。內存技術規范統一的標注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM內存標注格式

（1）1.0---1.2版本

這類版本內存標注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對於時鍾下沿的數據讀取時間），一般為6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關信息，符合Intel PC100規范的為1.2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

（2）1.2b+版本

其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標准工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對CAS的延時），用時鍾周期數表示；d表示TRP（RAS的預充電時間），用時鍾周期數表示；ee代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經過注冊。

2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式

威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標准，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存晶元至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。

PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標准工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時間），用時鍾周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式

其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標准工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標准工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時間，用時鍾周期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鍾周期數表示；e表示RAS預充電時間，用時鍾周期數表示；ff代表相對於時鍾下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。

4、RDRAM 內存標注格式

其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標准工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標准工作頻率為800*1/2=400MHZ。

5、各廠商內存晶元編號

內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存晶元上的編號。內存條上一般有多顆內存晶元，內存晶元因為生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。

由於韓國HY和SEC占據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存晶元質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，因此我們就先來看看它們的內存晶元編號。

（1）HYUNDAI（現代）

現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM晶元編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表現代的產品；5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表晶元輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存晶元內部由幾個Bank組成（1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系）；I代表介面（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗晶元，空白=普通晶元）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代錶速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的晶元，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩定。一般來講，編號最後兩位是7K的代表該內存外頻是PC100，75的是PC133的，但現代內存目前尾號為75的早已停產，改換為T-H這樣的尾號，可市場上PC133的現代內存尾號為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號的PC133現代內存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼並，市面上LGs的內存晶元也很常見。LGS SDRAM內存晶元編號格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的產品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數據位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個Bank，4=4個Bank）；f表示內核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代錶速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS編號後綴中，7.5是PC133內存；8是真正的8ns PC 100內存，速度快於7K/7J；7K和7J屬於PC 100的SDRAM，兩者主要區別是第三個反應速度的參數上，7K比7J的要快，上133MHz時7K比7J更穩定；10K屬於非PC100規格的，速度極慢，由於與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。

（3）Kingmax(勝創)

Kingmax的內存採用先進的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內存都採用TSOP封裝。採用TinyBGA封裝的內存，其大小是TSOP封裝內存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩定性，不過Kingmax內存與主板晶元組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內存在某些KT133主板上竟然無法開機。

Kingmax SDRAM內存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內存(下圖)實際上是能上150外頻且能穩定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內存條，該類型內存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X晶元組主板兼容問題，因此要好於REV1.1版本。購買Kingmax內存時，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內存打磨成7ns的PC133或PC150內存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟體測試一下內存的速度，注意觀察內存上字跡是否清晰，是否有規則的刮痕，晶元表面是否發白等，看看晶元上的編號。

KINGMAX PC150內存採用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會比一般的PC133內存來的快；Kingmax的PC133內存晶元是-7的，例如編號KSV884T4A1A-07；而PC100內存晶元有兩種情況：部分是-8的（例如編號KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區別在於：PC100的內存有相當一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內存卻可以保證100%穩定工作在PC133外頻下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵風金條)

金邦金條分為'金、紅、綠、銀、藍'五種內存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對應不同的主板。其中紅色金條是PC133內存；金色金條P針對PC133伺服器系統，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內存；藍A色金條針對AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍V色金條針對KX133主板；藍T色金條針對KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內存。

金邦內存晶元編號例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表晶元類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產品；6代表產品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設備號碼（深度*寬度，內存晶元容量 = 內存基粒容量 * 基粒數目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內存基粒容量；8 = 基粒數目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13

FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內部標識號。以上編號表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V

Vdd CMOS製造工藝，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM內存晶元編號例如KM416C254D表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（1=x1[以1的倍數為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內存。

三星SDRAM內存晶元編號例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內存晶元組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內存晶元密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內存排數（2=2排、3=4排）；0代表內存介面（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用'S'後的數字乘S前的數字，得到的結果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內存晶元，刷新為8K，內存Banks為3，內存介面LVTTL，第2代內存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133標准SDRAM內存晶元格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM內存晶元編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內存晶元組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內存排數（3=4排、4=8排）；0代表介面電壓（0=混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代錶速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內存晶元，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K (15.6μs)，內存晶元排數為4排（兩面各兩排），介面電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM內存晶元編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內存晶元組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內存晶元密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉CSP]、W = WL-CSP）；80代錶速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名內存生產商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內存條），其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的產品；48代表產品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數據位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代錶速度，分成以下四類：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鍾率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鍾率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（時鍾率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含義

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它內存晶元編號

NEC的內存晶元編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數據位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當數據位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的晶元，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPⅡ封裝；-A80代錶速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設為2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的內存晶元編號例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內核（現在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；B60代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ時CL是3）。

SIEMENS（西門子）內存晶元編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66規格〕）。

TOSHIBA的內存晶元編號例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產品；59代表SDRAM（其後的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數據位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT後如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代錶速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的內存晶元編號例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數據位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內核的版本；10代錶速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit晶元中，260和360在CL=3時的標定速度為：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。